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睿力集成电路有限公司专利技术
睿力集成电路有限公司共有332项专利
采样控制电路、方法和存储器技术
本公开实施例提供了一种采样控制电路、方法和存储器,该电路包括:第一输入模块,用于根据时钟信号对第一输入信号进行采样处理,得到第一采样信号;第二输入模块,用于在第一使能控制信号处于无效状态时,根据时钟信号和第一使能控制信号对第二输入信号进...
套刻误差的量测方法以及控制半导体制造过程的方法技术
本公开提供一种套刻误差的量测方法以及控制半导体制造过程的方法,涉及半导体技术领域,套刻误差的量测方法包括:提供基底,基底上形成有前层,前层设置有前层图案;在前层上形成当前工艺层,在当前工艺层上依次形成至少两层掩膜层,每层掩膜层设置有掩膜...
一种半导体结构及其形成方法技术
本公开涉及集成电路领域,公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括:重布线结构;重布线结构包括至少一层重布线层。其中,每层重布线层包括:第一线路和第二线路。第一线路和第二线路具有相同的延伸方向,且第二线路结合于第一线路的平行于延伸...
控制电路、控制方法以及半导体存储器技术
本公开实施例提供了一种控制电路、控制方法以及半导体存储器,该控制电路包括时序控制模块和命令控制模块,且时序控制模块的输出端与命令控制模块的输入端连接;时序控制模块,用于接收第一时钟信号,根据第一时钟信号进行计数,生成错误检查与清除ECS...
一种译码电路、译码方法和半导体存储器技术
本公开实施例提供了一种译码电路、译码方法和半导体存储器,该译码电路包括译码模块和寄存器模块,译码模块用于对初始计数信号进行译码处理,得到目标计数信号;其中,目标计数信号与预设计数范围具有对应关系,且目标计数信号为包括N位目标信号的二进制...
一种计数电路、半导体存储器以及计数方法技术
本公开实施例提供了一种计数电路、半导体存储器以及计数方法,该计数电路包括第一译码模块和第一计数模块,且第一译码模块与第一计数模块连接,其中:第一译码模块,用于接收第一模式信号,对第一模式信号进行译码处理,生成译码信号;第一计数模块包括至...
半导体结构及存储器制造技术
本公开实施例公开了一种半导体结构及存储器,其中,所述半导体结构包括:至少一个子字线驱动器,所述子字线驱动器包括:多个第一有源区;以及主字线,包括互连的多个第一栅极和多个第二栅极;所述多个第一栅极对应所述多个第一有源区;其中,所述主字线中...
一种半导体结构的处理方法及装置制造方法及图纸
本公开实施例涉及半导体领域,公开了一种半导体结构的处理方法及装置,其中,方法包括:提供衬底;衬底上形成有自然氧化层;确定自然氧化层的厚度;根据自然氧化层的厚度,控制预设条件;预设条件包括:第一气体和第二气体的流量比值;在预设条件下,向反...
一种数据采样电路、数据接收电路及存储器制造技术
本公开实施例公开了一种数据采样电路、数据接收电路及存储器,数据采样电路包括:比较电路和可调驱动电路。其中,比较电路,被配置为接收第一数据、第二数据和时钟信号,响应于时钟信号,对第一数据和第二数据进行比较,并输出比较结果信号;可调驱动电路...
半导体结构及其形成方法、存储器技术
本公开实施例涉及半导体技术领域,目前由于高密度的位线结构在形成过程中容易坍塌,因此,本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、存储器,其中,半导体结构包括:基底;位于基底上、且沿第一方向间隔排列的多对位线结构;其中,每对位线结构包括相...
半导体结构及其形成方法技术
本公开实施例涉及半导体技术领域,目前由于存储单元尺寸的不断缩小,栅极沟道的长度也随之缩减,导致栅极的控制能力越来越弱,因此,本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构包括:位于衬底上的栅极结构;栅极结构包括至少两层栅极...
一种半导体结构及存储器制造技术
本公开实施例公开了一种半导体结构。所述半导体结构包括:衬底和位于所述衬底中的隔离结构,所述隔离结构在所述衬底中限定出有源区,所述有源区包括源极区、漏极区和沟道区;栅极,所述栅极覆盖所述沟道区;其中,所述栅极包括沿第一方向延伸的主体部,所...
一种延迟锁相环、时钟同步电路和存储器制造技术
本公开实施例提供了一种延迟锁相环、时钟同步电路和存储器,该延迟锁相环包括:预处理模块,配置为接收初始时钟信号,对初始时钟信号进行预处理,输出第一时钟信号;第一可调延迟线,配置为接收第一时钟信号,对第一时钟信号进行调整及传输,输出第一目标...
一种存储器制造技术
本公开实施例公开了一种存储器,存储器包括至少一个阵列区;阵列区包括:存储体区、第一锁存区和第二锁存区;其中,第一锁存区耦接于存储体区的第一端,第二锁存区耦接于存储体区的第二端;存储体区的第一端和第二端为沿第一方向相对的两端;第一锁存区和...
半导体结构的形成方法及半导体结构技术
本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构,涉及半导体技术领域,其中,半导体结构的形成方法,包括:提供衬底和叠层结构,叠层结构位于衬底的表面,叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层;去除部分牺牲层,在部分牺牲层对应的位置形成多条位线...
一种偏移校准电路及存储器制造技术
本公开实施例公开了一种偏移校准电路和存储器,偏移校准电路包括:可调延迟电路、相位检测电路和相位调整控制电路。其中,可调延迟电路用于接收初始差分信号,按照第i延迟量将初始差分信号校准为第i差分信号,i大于等于1;相位检测电路用于对第i差分...
半导体存储器件结构制造技术
本实用新型提供一种半导体存储器件结构,半导体存储器件结构包括半导体衬底、双面电容器、底部支撑层、中部支撑层及顶部支撑层。半导体衬底具有多个电容触点,双面电容器包括第一导电层、覆盖于第一导电层的电容介质层、及覆盖于电容介质层的第二导电层。...
化学机械研磨系统技术方案
本实用新型提供化学机械研磨系统,包括:研磨平台;研磨垫,位于研磨平台的上表面;研磨头,位于研磨垫的上方;研磨液供给系统,用于向研磨垫的表面提供研磨液,研磨液供给系统包括第一研磨液供给源、第二研磨液供给源、输液管及喷头;其中,输液管一端与...
窗口型球栅阵列封装组件制造技术
本发明提供一种窗口型球栅阵列封装组件,包括:基板,具有相对的第一表面及第二表面,且形成有贯穿第一表面及第二表面的窗口;胶粘层,具有位于窗口两侧的第一胶粘面和第二胶粘面,形成于基板的第二表面上;芯片,通过第一胶粘面和第二胶粘面固定于基板的...
半导体存储器的控制电路及半导体存储器制造技术
本实用新型公开一种半导体存储器及用于控制半导体存储器功能模块工作状态的控制电路,半导体存储器包括n个功能模块,控制电路包括分时控制电路和n个电源驱动模块;分时控制电路用于接收总控制信号,并根据总控制信号产生边沿依次错开的n个使能信号;电...
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