半导体结构及存储器制造技术

本公开实施例公开了一种半导体结构及存储器，其中，所述半导体结构包括：至少一个子字线驱动器，所述子字线驱动器包括：多个第一有源区；以及主字线，包括互连的多个第一栅极和多个第二栅极；所述多个第一栅极对应所述多个第一有源区；其中，所述主字线中的所述多个第一栅极的延伸方向和/或所述主字线中的至少部分第二栅极的延伸方向与第一方向和第二方向均相交；所述第一方向平行于所述第一有源区延伸的方向，所述第二方向与所述第一有源区所在的平面平行且垂直于所述第一方向。的平面平行且垂直于所述第一方向。的平面平行且垂直于所述第一方向。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及存储器


[0001]本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体结构及存储器。

技术介绍

[0002]半导体结构，例如动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory），字线可以用作传送驱动存储单元的一个或更多个晶体管所需的栅极电压的导电线。其中，晶体管可以响应于字线的电位状态而操作，使得动态随机存取存储器可以通过晶体管将数据写入存储单元或从存储单元读取数据。
[0003]随着芯片尺寸和芯片的存储器容量的增加，由此类字线引起的线延迟可以被认为是限制动态随机存取存储器的操作速度的最重要的延迟因素之一。为了使此类字线的线延迟最小化，已经开发了用于将长的主字线（MWL，Main Wordline）划分为多条子字线（SWL，Sub Wordline）以及用于驱动每条子字线的子字线驱动器（SWD，Sub Wordline Driver）。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提出一种半导体结构及存储器。
[0005]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：至少一个子字线驱动器，所述子字线驱动器包括：多个第一有源区；以及主字线，包括互连的多个第一栅极和多个第二栅极；所述多个第一栅极对应所述多个第一有源区；其中，所述主字线中的所述多个第一栅极的延伸方向和/或所述主字线中的至少部分第二栅极的延伸方向与第一方向和第二方向均相交；所述第一方向平行于所述第一有源区延伸的方向，所述第二方向与所述第一有源区所在的平面平行且垂直于所述第一方向。
[0006]上述方案中，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，所述多个第一有源区沿所述第三方向间隔排布，至少部分所述第二栅极物理连接均沿第四方向延伸；所述第三方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
；和/或，所述第四方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
。
[0007]上述方案中，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，所述多个第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的一端且均沿第四方向延伸。
[0008]上述方案中，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，一部分所述第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的一端且均沿第四方向延伸，另一部分所述第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的另一端且均沿第五方向延伸，所述第五方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
。
[0009]上述方案中，所述第四方向所在的直线与所述第三方向所在的直线之间的夹角为第一夹角，所述第五方向所在的直线与所述第三方向所在的直线之间的夹角为第二夹角，
所述第一夹角与所述第二夹角相等。
[0010]上述方案中，所述第三方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
，所述多个第一有源区呈步进状间隔排布，所述第四方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
，所述第五方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
。
[0011]上述方案中，所述第一栅极整体均沿所述第三方向延伸；或者，所述第一栅极包括沿所述第三方向延伸的第一部分和第二部分以及连接所述第一部分和第二部分的第三部分。
[0012]上述方案中，所述半导体结构包括N个子字线驱动器，所述N为大于等于1的正整数；所述N个子字线驱动器中每一子字线驱动器包含的物理连接的所述第一栅极均平行且两端均齐平；所述N个子字线驱动器中每一子字线驱动器包含的物理连接的所述第二栅极均平行且两端均齐平。
[0013]上述方案中，所述子字线驱动器还包括：多个第三栅极，所述多个第三栅极均位于所述N个子字线驱动器中相邻的两个子字线驱动器的第二栅极之间。
[0014]上述方案中，所述N个子字线驱动器包括第一子字线驱动器和第二子字线驱动器；所述第一子字线驱动器和第二子字线驱动器中的第三栅极均位于所述第一子字线驱动器的第二栅极和第二子字线驱动器的第二栅极之间。
[0015]上述方案中，所述N个子字线驱动器包括沿所述第一方向依次设置的第一子字线驱动器、第二子字线驱动器、第三子字线驱动器和第四子字线驱动器；所述N个子字线驱动器的第一栅极整体均沿所述第一方向延伸；所述第一子字线驱动器和第二子字线驱动器的第二栅极之间的距离为L1，所述第二子字线驱动器和第三子字线驱动器的第二栅极之间的距离为L2，所述第三子字线驱动器和第四子字线驱动器的第二栅极之间的距离为L3；其中，L1=L3，L1＞L2；所述N个子字线驱动器的第三栅极位于所述第一子字线驱动器的第二栅极和第二子字线驱动器的第二栅极之间，以及所述第三子字线驱动器的第二栅极和第四子字线驱动器的第二栅极之间。
[0016]上述方案中，所述第二子字线驱动器的第一栅极与所述第三子字线驱动器的第一栅极存在共用的有源区。
[0017]上述方案中，所述N个子字线驱动器包括沿所述第一方向依次设置的第一子字线驱动器、第二子字线驱动器、第三子字线驱动器和第四子字线驱动器；所述N个子字线驱动器的所述第一栅极包括沿所述第一方向延伸的第一部分和第二部分以及连接所述第一部分和第二部分的第三部分；相邻的两个子字线驱动器之间的第一栅极的第一部分的间距为第一距离或第二距离，相邻的两个子字线驱动器之间的第一栅极的第二部分的间距为所述第二距离或所述第一距离，所述第一距离大于所述第二距离；所述N个子字线驱动器的第三栅极位于所述N个子字线驱动器中间距为第一距离的两个相邻第一栅极连接的第二栅极之间。
[0018]上述方案中，所述N个子字线驱动器中间距为第二距离的两个相邻第一栅极之间
存在共用的所述第一有源区。
[0019]上述方案中，沿所述第一方向相邻的两个第三栅极形成为“C”字型或“I”字型。
[0020]上述方案中，所述第一栅极对应的晶体管包括P型晶体管；所述第二栅极对应的晶体管、所述第三栅极对应的晶体管均包括N型晶体管。
[0021]上述方案中，所述子字线驱动器还包括至少一个第二有源区，与所述多个第二栅极、所述多个第三栅极对应；所述第一有源区的形状为长条形，所述第二有源区的形状为网格状。
[0022]上述方案中，所述子字线驱动器结构还包括多个导电接触；每个所述导电接触分别与所述第一有源区或所述第二有源区中的源极或漏极连接。
[0023]根据本公开的一个方面，提供了一种存储器，包括：如本公开上述实施例中所述的半导体结构。
[0024]本公开实施例提供的半导体结构中，将第一栅极对应的第一有源区的延伸方向定义为第一方向，将与第一有源区所在的平面平行且垂直于第一方向的方向定义为第二方向，通过将主字线中的多个第一栅极形成的连线、至少部分第二栅极形成的连线中至少之一的延伸方向设置为与第一方向和第二方向均相交，从而可以在保持沟道长度不变的前提下，使得主字线沿第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：至少一个子字线驱动器，所述子字线驱动器包括：多个第一有源区；以及主字线，包括互连的多个第一栅极和多个第二栅极；所述多个第一栅极对应所述多个第一有源区；其中，所述主字线中的所述多个第一栅极的延伸方向和/或所述主字线中的至少部分第二栅极的延伸方向与第一方向和第二方向均相交；所述第一方向平行于所述第一有源区延伸的方向，所述第二方向与所述第一有源区所在的平面平行且垂直于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，所述多个第一有源区沿所述第三方向间隔排布，至少部分所述第二栅极物理连接均沿第四方向延伸；所述第三方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
；和/或，所述第四方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，所述多个第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的一端且均沿第四方向延伸。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一栅极物理连接且均沿第三方向延伸，一部分所述第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的一端且均沿第四方向延伸，另一部分所述第二栅极物理连接在所述多个第一栅极的另一端且均沿第五方向延伸，所述第五方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角范围为：0
‑
45
°
。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第四方向所在的直线与所述第三方向所在的直线之间的夹角为第一夹角，所述第五方向所在的直线与所述第三方向所在的直线之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角相等。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
，所述多个第一有源区呈步进状间隔排布，所述第四方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
，所述第五方向所在直线与所述第二方向所在直线的夹角为45
°
。7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极整体均沿所述第三方向延伸；或者，所述第一栅极包括沿所述第三方向延伸的第一部分和第二部分以及连接所述第一部分和第二部分的第三部分。8.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括N个子字线驱动器，所述N为大于等于1的正整数；所述N个子字线驱动器中每一子字线驱动器包含的物理连接的所述第一栅极均平行且两端均齐平；所述N个子字线驱动器中每一子字线驱动器包含的物理连接的所述第二栅极均平行且两端均齐平。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述子字线驱动器还包括：多个第
三栅极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奇龙，刘志拯，李宗翰，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：