一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法技术

本发明专利技术公开了一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，包括：步骤一、对晶圆1的上表面涂布光刻胶。步骤二、对光刻胶图形化，露出第一工艺窗和第二工艺窗。步骤三、通过第一工艺窗和第二工艺窗将第二侧墙去除。步骤四、对第二侧墙去除后露出的部分进行离子注入。步骤五、对光刻胶进行去胶。本发明专利技术仅对光刻胶打开的第一工艺窗和第二工艺窗进行第二侧墙的刻蚀减少不必要的刻蚀区域，降低刻蚀损伤，改善白色像素。

【技术实现步骤摘要】
一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法
本专利技术涉及集成电路制造技术的
，尤其涉及侧墙刻蚀的

技术介绍
现有的堆栈式感光元件完全把电路层放到了像素层的下方，这样的进光量会更加大，而且堆栈式在R(红)G(绿)B(蓝)的三原色像素点中加入了W(白)像素，这样使得在暗的环境中拍摄到亮度更高的照片。而在目前55纳米UTS(UltraThinStack)图像传感器既超薄堆栈式图像传感器的制作工艺中，刻蚀步骤对器件的性能影响很大。刻蚀过程造成的损伤会导致缺陷，从而容易产生漏电流，最终形成whitepixel(白色像素是屏幕上出现故障的彩色像素)，影响使用。
技术实现思路
针对上述不足，本专利技术的目的是提供一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，减少不必要的刻蚀区域，降低刻蚀损伤，改善白色像素。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，包括：步骤一、对晶圆的上表面涂布光刻胶；步骤二、对所述光刻胶图形化，露出第一工艺窗和第二工艺窗；步骤三、通过所述第一工艺窗和所述第二工艺窗将第二侧墙去除；步骤四、对所述第二侧墙去除后露出的部分进行离子注入；步骤五、对所述光刻胶进行去胶。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，所述第一工艺窗和所述第二工艺窗分别位于栅极的两侧，并且所述第一工艺窗和所述第二工艺窗位于源极和漏极的上方。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，所述第一工艺窗和所述第二工艺窗贯穿至所述第二侧墙的上方。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，所述步骤二的去除第二侧墙的工艺为等离子体刻蚀，所述等离子体为PP等离子体或NP等离子体。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，当所述步骤二的等离子体刻蚀采用PP等离子体时，所述步骤四进行PP离子注入；当所述步骤二的等离子体刻蚀采用NP离子体时，所述步骤四进行NP离子注入。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，所述晶圆为超薄堆栈式图像传感器。上述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，所述晶圆的制程为55nm。用以上技术方案，能够达到如下有益效果：1、本专利技术仅对光刻胶打开的第一工艺窗和第二工艺窗进行第二侧墙的刻蚀减少不必要的刻蚀区域，降低刻蚀损伤，改善白色像素。附图说明图1是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的步骤三的示意图；图2是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的步骤四的示意图；图3是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的流程图。附图中：1、晶圆；2、光刻胶；21、第一工艺窗；22、第二工艺窗；3、第二侧墙；41、栅极；42、源极；43、漏极。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。图1是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的步骤三的示意图；图2是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的步骤四的示意图；图3是本专利技术的一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法的流程图。现有技术的对第二侧墙3的刻蚀是针对整片晶圆，但是由于这其中除了源极42和漏极43外，其余区域没有必要刻蚀，因此需要予以减少。请参见图1至图3所示，在一种较佳的实施例中，一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其中，包括：步骤一、对晶圆1的上表面涂布光刻胶。步骤二、对光刻胶2图形化，露出第一工艺窗21和第二工艺窗22。步骤三、通过第一工艺窗21和第二工艺窗22将第二侧墙3去除。步骤四、对第二侧墙3去除后露出的部分进行离子注入。步骤五、对光刻胶2进行去胶。以上仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围。进一步，在一种较佳实施例中，第一工艺窗21和第二工艺窗22分别位于栅极41的两侧，并且第一工艺窗21和第二工艺窗22位于源极42和漏极43的上方；通过离子注入使源极42和漏极43形成N型高浓掺杂区或P型高浓掺杂区。进一步，在一种较佳实施例中，第一工艺窗21和第二工艺窗22贯穿至第二侧墙3的上方。进一步，在一种较佳实施例中，步骤二的去除第二侧墙3的工艺为等离子体刻蚀，等离子体为PP等离子体(PositivePlus，Positive既指3价电荷元素如B和In，Plus即指高浓度)或NP等离子体(NegativePlus，Negative既指5价电荷元素如P和As，Plus即指高浓度)。进一步，在一种较佳实施例中，当步骤二的等离子体刻蚀采用PP等离子体时，步骤四进行PP离子注入；当步骤二的等离子体刻蚀采用NP离子体时，步骤四进行NP离子注入。进一步，在一种较佳实施例中，晶圆1为超薄堆栈式图像传感器。进一步，在一种较佳实施例中，晶圆的制程为55nm。以上仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其特征在于，包括：步骤一、对晶圆的上表面涂布光刻胶；步骤二、对所述光刻胶图形化，露出第一工艺窗和第二工艺窗；步骤三、通过所述第一工艺窗和所述第二工艺窗将第二侧墙去除；步骤四、对所述第二侧墙去除后露出的部分进行离子注入；步骤五、对所述光刻胶进行去胶。

【技术特征摘要】
1.一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其特征在于，包括：步骤一、对晶圆的上表面涂布光刻胶；步骤二、对所述光刻胶图形化，露出第一工艺窗和第二工艺窗；步骤三、通过所述第一工艺窗和所述第二工艺窗将第二侧墙去除；步骤四、对所述第二侧墙去除后露出的部分进行离子注入；步骤五、对所述光刻胶进行去胶。2.根据权利要求1所述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其特征在于，所述第一工艺窗和所述第二工艺窗分别位于栅极的两侧，并且所述第一工艺窗和所述第二工艺窗位于源极和漏极的上方。3.根据权利要求1所述一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，其特征在于，所述第一工艺窗和所述第二工艺窗贯穿至所述第二侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙赛，俞敏，曹亚民，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31