The invention relates to a process for treating by-product apparatus and a method for using the same method to determine the replacement period of the collector, and more specifically, relates to a method for processing by-products in the discharge pipe apparatus and a method for using the same method to determine the replacement of the collector. The device used for processing by-products includes a collector. The collector is installed on the discharge chamber between the process chamber and the valve configured to control the pressure of the process chamber, so as to collect the process by-products discharged from the process chamber. The collector includes: the collector shell is connected with the discharge pipeline, and the hollow collection structure is installed in the collector shell to collect the process byproducts and is configured to control the flow path of the by-products. The equipment used for processing the by-product of the process can effectively prevent the process byproducts from accumulating in the valve of the pressure of the discharge pipeline and the control chamber chamber.
【技术实现步骤摘要】
用于处理副产物的设备及用于确定收集器的更换期的方法
本公开涉及一种用于处理工艺副产物的设备及一种用于确定收集器的更换期的方法,且更明确地说,涉及一种用于处理排放管线中的工艺副产物的设备以及一种用于使用所述设备确定收集器的更换期的方法。
技术介绍
为了制造半导体,使用光刻胶的光刻工艺(lithographyprocess)是必要的。光刻胶由对光敏感的聚合物或光敏剂与聚合物的混合物所组成。在曝光以及溶解工艺之后图案化在衬底上的光刻胶,在对衬底或衬底上的膜进行蚀刻的工艺中将图案转移到衬底上。这种聚合物被称作光刻胶,且通过使用光源在衬底上形成精细图案的工艺被称作光刻工艺。在半导体制造工艺中,主要通过灰化工艺从衬底去除在形成例如线条图案或空间图案等各种精细电路图案的工艺或离子植入工艺中用作掩模的光刻胶。在通常使用的灰化工艺中,氧等离子体可在晶片置于在高温(200℃至300℃)下经受加热的加热器夹盘上的状态下与光刻胶发生反应,以去除光刻胶。氧(O2)气主要用作反应气体,并且,另一气体可与氧气混合以提高灰化效率。灰化工艺是在与外部隔绝的工艺腔室中执行。例如反应气体、未反应气体以及反应副产物等工艺副产物通过连接到工艺腔室的排放管线排出。排放管线不仅用以排出工艺副产物,而且还用以控制工艺腔室中的工艺压力。然而,通过排放管线排出的反应副产物在穿过温度相对低的排放管线时凝结在所述排放管线中,且因此以粉末或具有粘性性质的聚合物的形式积聚。具体地说,如果灰化工艺使用氢(H2)气,那么积聚量会进一步增大。这种聚合物不仅积聚在排放管线中,而且还积聚在工艺腔室的内壁上以及用于控制压力的阀 ...
【技术保护点】
一种用于处理工艺副产物的设备,其特征在于,所述设备包括收集器,所述收集器安装在工艺腔室与被配置成用于控制所述工艺腔室的压力的阀之间的排放管线上,以收集从所述工艺腔室排出的所述工艺副产物,其中所述收集器包括:收集器外壳,所述收集器外壳与所述排放管线连通;以及中空的收集结构,安装在所述收集器外壳中以收集所述工艺副产物,且被配置成控制所述工艺副产物的流动路径。
【技术特征摘要】
2016.09.26 KR 10-2016-01233051.一种用于处理工艺副产物的设备,其特征在于,所述设备包括收集器,所述收集器安装在工艺腔室与被配置成用于控制所述工艺腔室的压力的阀之间的排放管线上,以收集从所述工艺腔室排出的所述工艺副产物,其中所述收集器包括:收集器外壳,所述收集器外壳与所述排放管线连通;以及中空的收集结构,安装在所述收集器外壳中以收集所述工艺副产物,且被配置成控制所述工艺副产物的流动路径。2.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集结构具有从所述收集器外壳的流入孔到排出孔逐渐减小的横截面积。3.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中设置多个所述收集结构以提供具有彼此不同的横截面积的流动路径,并且多个所述收集结构被安置成从所述排放管线的中心部分向外隔开。4.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集器还包括经由所述收集器外壳以及所述收集结构安装的冷却管线。5.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集器可更换地安装。6.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,还包括加热器,所述加热器与所述收集器的后端连通,以对所述工艺副产物进行加热。7.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,还包括等离子体处理单元,所述等离子体处理单元与所述收集器的后端连通,以对所述工艺副产物进行等离子体处理且由此使所述工艺副产物分解。8.根据权利要求7所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述等离子体处理单元包括:反应器,所述反应器与所述收集器外壳连通,以提供所述工艺副产物流动穿过的流动空间;等离子体产生器,所述等离子体产生器安装在所述反应...
【专利技术属性】
技术研发人员:金泰勳,金俊浩,
申请(专利权)人:AP系统股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。