一种纳米线条的修复方法技术

本发明专利技术涉及半导体微纳结构制造技术领域，具体涉及一种纳米线条的修复方法，所述方法包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入所述兆声波发生器的容器中；所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形。本发明专利技术中的兆声波发生器发出高频振荡信号，能使液体分子做加速运动并具有直流推进和空化作用，可以使坍塌或者粘连的纳米细线条发生形态变化，打破原来坍塌或者粘连的状态，大部分坍塌或者粘连的纳米细线条得以复原，达到修复的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米线条的修复方法
本专利技术涉及半导体微纳结构制造
，具体涉及一种纳米线条的修复方法。
技术介绍
在集成电路的制造领域中，随着特征尺寸的减小和制造结构的复杂程度提高，光刻胶图形在显影的过程中容易发生坍塌或者粘连，如果不解决这个问题，将会导致所制造出来的电子器件有严重的缺陷。一般在发现光刻胶图形有坍塌或者粘连后会将硅片清洗干净再次涂胶光刻显影等步骤，这将会增加工艺的成本和浪费一些不必要的时间，从而降低了生产效率，增加了制造成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种纳米线条的修复方法，所述方法有助于提高集成电路制造工艺的效率，同时降低生产成本。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种纳米线条的修复方法，包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；确定所述去离子水的温度设定值；待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；所述兆声波发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米线条的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；确定所述去离子水的温度设定值；待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形。

【技术特征摘要】
1.一种纳米线条的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；确定所述去离子水的温度设定值；待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洛俊，景玉鹏，康恒，李勇滔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11