方向性的图案化方法技术

方向性的图案化方法公开于此。例示性的方法包含进行光刻工艺以形成图案化的硬掩模层于晶片上，其中图案化的硬掩模层包含硬掩模结构，其具有相关的水平定义特征。调整蚀刻工艺，以将蚀刻品导入实质上水平的方向(相对于晶片的水平面)，因此蚀刻工艺水平地移除部分图案化的硬掩模层，以调整硬掩模结构的水平定义特征。形成集成电路结构，其对应具有调整后的水平定义特征的硬掩模结构。水平定义的特征可包含长度、宽度、线路边缘粗糙度、线宽粗糙度、线路末端轮廓、其他水平定义特征、或上述的组合。在一些实施例中，方向性的图案化方法可达斜向内连线及/或狭缝状(矩形)的通孔内连线。

【技术实现步骤摘要】
方向性的图案化方法
本公开实施例涉及光刻工艺，更特别涉及方向性的图案化工艺。
技术介绍
集成电路技术朝更小的结构尺寸(如32纳米、28纳米、20纳米、或更小)持续发展，使集成电路设计的挑战更多。举例捱说，更小的结构尺寸需要缩小间距(集成电路结构的中心至中心的距离)以及关键尺寸(最小的可行尺寸，比如集成电路结构的宽度)。现有的光刻工艺分辨率(如光刻工艺所能解析的图案化的集成电路结构其细节)，会阻挡先进技术节点所需的较小结构尺寸。综上所述，虽然现有的光刻工艺一般可用于其发展目的，但无法适用于所有方面。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：形成图案化硬掩模层于晶片上，其中图案化的硬掩模层包含硬掩模结构；以及进行表面的方向性蚀刻工艺，以调整硬掩模结构的水平轮廓，其中表面的方向性蚀刻工艺相对于晶片的水平表面，将蚀刻品导向实质上水平的方向。附图说明图1是本公开多种实施例中，用以制作半导体装置的方向性图案化方法的流程图。图2A至图4A与图2B至图4B是本公开多种实施例中，半导体装置于多种工艺阶段(比如对应图1的方法)中的部分示意图。图5A至图7A与图5B至图7B是本公开多种实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方向性的图案化方法，包括：形成一图案化硬掩模层于一晶片上，其中该图案化的硬掩模层包含一硬掩模结构；以及进行一表面的方向性蚀刻工艺，以调整该硬掩模结构的水平轮廓，其中该表面的方向性蚀刻工艺相对于该晶片的水平表面，将蚀刻品导向一实质上水平的方向。

【技术特征摘要】
2016.09.29 US 62/401,602;2016.12.30 US 15/395,3101.一种方向性的图案化方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪继正，刘如淦，林纬良，游大庆，严永松，方子韦，高蔡胜，林进祥，陈桂顺，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71