在先进图案化工艺中用于间隔物沉积与选择性移除的设备与方法技术

本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。

Equipment and methods for deposition and selective removal of spacers in advanced patterning processes

The implementation of this paper provides equipment and method for making deposition and patterning process with good contour control on spacer layer in multiple patterning process. In one embodiment, a method of deposition during multiple patterning process and a patterned spacer layer comprises the following steps: forming shaped spacer layer and outer surface of the patterned substrate structure in the upper, wherein the patterned structure is defined between the first group opening; selective treatment to form the first part the spacer layer on the substrate, the second part not with the spacer layer; and selectively removing the spacer layer by processing the first part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在先进图案化工艺中用于间隔物沉积与选择性移除的设备与方法本公开内容的背景
本文中的实施方式大体涉及用于在平版印刷多重图案化制造工艺中形成间隔物层的设备和制造工艺。
技术介绍
可靠地生产亚微米和更小的特征结构是半导体装置的超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的关键要求之一。然而，随着电路技术的不断小型化，诸如互连结构(interconnect)的电路特征结构的间距和尺寸的大小对于处理能力已有额外的需求。处于此技术核心的多层互连结构要求精确地的成像和高深宽比的特征结构(例如通孔和其他互连结构)的布置。可靠地形成这些互连结构对于进一步增加装置和互连结构的密度是关键的。此外，需要形成亚微米大小的特征结构和互连结构并减少中间材料(例如抗蚀剂(resist)和硬掩模材料)的浪费。随着下一代装置的电路密度增加，诸如通孔、沟槽、触点、栅极等互连结构和其它特征结构及上述特征结构之间的介电材料的宽度或间距正减少到45nm和32nm及更小的尺寸。由于装置的缩放(scaling)延伸到进一步低于平版印刷术扫描仪的分辨极限，故采用了多重图案化来满足当今的集成装置的特征结构密度要求。多重图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法，包含以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在所述基板上的所述间隔物层的第一部分，而不处理所述间隔物层的第二部分；以及选择性地移除所述间隔物层经处理的所述第一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.03 US 14/729,9321.一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法，包含以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在所述基板上的所述间隔物层的第一部分，而不处理所述间隔物层的第二部分；以及选择性地移除所述间隔物层经处理的所述第一部分。2.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化结构包含无定形碳材料、氮化硅、二氧化硅或碳化硅。3.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔物层包含多晶硅或非晶硅。4.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述基板上保形地形成间隔物层之前，前处理所述基板。5.如权利要求1所述的方法，其中前处理所述基板进一步包含以下步骤：供应前处理气体混合物到所述基板，所述前处理气体混合物包括惰性气体；以及将所述基板的温度保持在介于约摄氏200度和约摄氏400度之间。6.如权利要求5所述的方法，进一步包含以下步骤：施加约2000瓦的顶部电感耦合电源及约4000瓦的侧电感耦合电源。7.如权利要求1所述的方法，其中保形地形成所述间隔物层进一步包含以下步骤：供应沉积气体混合物，所述沉积气体混合物包括硅基气体和N2气体。8.如权利要求7所述的方法，其中供应所述沉积气体混合物进一步包含以下步骤：施加小于6500瓦的电感耦合电源到所述气体混合物；以及施加介于100瓦和约500瓦之间的射频偏压功率到所述气体混合物。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：周杰，殷正操，尚布休·N·罗伊，斯里尼瓦斯·D·内曼尼，刘菁菁，冶利Y叶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US