一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀辅助的等离子体干法刻蚀，以光致抗蚀剂图形为掩膜，腐蚀牺牲过渡层，通过控制腐蚀速率和时间，使牺牲过渡层图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜缩进固定宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜。本发明专利技术的复合掩膜可以避免高能离子轰击下光致抗蚀剂掩膜边缘变性所导致的去胶困难，常规的去胶液浸泡即可完全去除光致抗蚀剂掩膜，避免了擦拭芯片表面带来的机械损伤，提高了芯片的表面质量。

A preparation method of high energy ion implantation for multilayer masks

【技术实现步骤摘要】
一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法
本专利技术涉及微电子工艺中的掩膜技术，具体指一种用于注入能量大于200keV的高能离子注入多层掩膜的制备方法。
技术介绍
在微电子工艺中，离子注入掺杂技术具有高精度的掺杂剂量均匀性和工艺可重复性，并且离子注入为非平衡过程，使掺杂过程不受固溶度、扩散系数等因素的影响，理论上可以实现任意材料基体表面的任意浓度掺杂。离子的注入深度或平均投影射程与注入离子的原子量、注入能量及被注入基体材料的原子质量有关，即注入离子越轻、基体材料原子质量越小、离子注入能量越大，注入深度越深。而制备p-on-n型的HgCdTe红外光电二极管平面结器件，通常需要在HgCdTe这样组分原子质量很大的材料中注入原子质量较大的As离子，为了保证器件所需的杂质分布深度，必须将注入能量提高到300keV以上(通常，注入能量大于200keV为高能注入)。在这样高能量的重核离子轰击下，不仅HgCdTe基体材料表层会产生注入诱导损伤，常规的光致抗蚀剂掩膜也会发生变性甚至皲裂，从而导致非注入区的漏注和注入后掩膜无法去除干净。目前，硅基的半导体器件工艺中通常采用图形化的硬质注入掩膜来代替光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法，所述的多层掩膜结构为：底层为注入阻挡层(1)，中部为牺牲过渡层(2)，顶部为图形化的光致抗蚀剂掩膜层(3)，其特征在于：所述的多层掩膜的制备方法包括如下步骤：1)在衬底上沉积一层注入阻挡层(1)薄膜，然后再沉积一层牺牲过渡层(2)薄膜，牺牲过渡层(2)的厚度≤注入区外扩误差限/tan，tan为离子入射角度；牺牲过渡层(2)的腐蚀剂不腐蚀注入阻挡层(1)或对注入阻挡层(1)的腐蚀速率远小于牺牲过渡层(2)，即对注入阻挡层(1)的腐蚀速率＜牺牲过渡层腐蚀速率/100；2)将已沉积注入阻挡层(1)和牺牲过渡层(2)的芯片清洗干净并烘干，在芯片表面旋转涂覆光...

【技术特征摘要】
1.一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法，所述的多层掩膜结构为：底层为注入阻挡层(1)，中部为牺牲过渡层(2)，顶部为图形化的光致抗蚀剂掩膜层(3)，其特征在于：所述的多层掩膜的制备方法包括如下步骤：1)在衬底上沉积一层注入阻挡层(1)薄膜，然后再沉积一层牺牲过渡层(2)薄膜，牺牲过渡层(2)的厚度≤注入区外扩误差限/tan，tan为离子入射角度；牺牲过渡层(2)的腐蚀剂不腐蚀注入阻挡层(1)或对注入阻挡层(1)的腐蚀速率远小于牺牲过渡层(2)，即对注入阻挡层(1)的腐蚀速率＜牺牲过渡层腐蚀速率/100；2)将已沉积注入阻挡层(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：施长治，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31