用于半导体装置的阈值电压及井植入方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置的阈值电压及井植入方法
本揭示内容有关于半导体装置的光刻及离子植入。特别是，本揭示内容有关用于属10纳米(nm)以下技术节点、具有鳍片的半导体装置的图案化及离子植入技术。
技术介绍
随着半导体加工进步到10纳米技术节点，众多技术挑战强迫使用成本更贵的浸镀层(immersionlayer)。有些技术挑战包括关键栅极间距(3CPP)的最小面积要求，在10纳米技术节点会更窄小的N-P接面(junction)崩溃制程裕度，以及在10纳米技术节点更加关键的角落圆角化要求(cornerroundingrequirement；CRR)。由于这些技术挑战，用于多层的浸镀制程变成有必要。在10纳米技术节点的现有加工下，存在制程裕度的显著减少是由于边缘设置的影响，CRR与必要制程偏差(requiredprocessbias)的复合。用其他现有制程，即使致能基于井(well)的阈值电压(Vt)调整，Vt调整位准仍为最小面积限制禁止3CPP单元调换的牺牲者。在其他现有制程中，10纳米单元(cell)的N-P接面间距减少已使相对崩溃裕度减少33％。由于重叠、鳍片设置及关键尺寸...
【技术保护点】
一种方法，其包含：在一基板上方的多个区域中形成多个鳍片群组；形成一氮化硅(SiN)于该多个鳍片群组上方；形成一非晶硅(a‑Si)层于该SiN上方；形成及图案化一第一图案化层于该a‑Si层上方；使用该第一图案化层作为一掩模，蚀刻穿过该a‑Si层向下到该SiN；移除该第一图案化层；在蚀刻该a‑Si层后，植入离子于暴露的鳍片群组中；形成及图案化一第二图案化层以暴露一第一鳍片群组以及该a‑Si层在该第一鳍片群组的两对边上的一部分；植入离子于该第一鳍片群组的一第一区域中；形成一第三图案化层于该第一鳍片群组的该第一区域上方以及暴露该第一鳍片群组的一第二区域；以及植入离子于该第一鳍片群组的该第二区域中。
【技术特征摘要】
2016.06.06 US 15/173,7661.一种方法，其包含：在一基板上方的多个区域中形成多个鳍片群组；形成一氮化硅(SiN)于该多个鳍片群组上方；形成一非晶硅(a-Si)层于该SiN上方；形成及图案化一第一图案化层于该a-Si层上方；使用该第一图案化层作为一掩模，蚀刻穿过该a-Si层向下到该SiN；移除该第一图案化层；在蚀刻该a-Si层后，植入离子于暴露的鳍片群组中；形成及图案化一第二图案化层以暴露一第一鳍片群组以及该a-Si层在该第一鳍片群组的两对边上的一部分；植入离子于该第一鳍片群组的一第一区域中；形成一第三图案化层于该第一鳍片群组的该第一区域上方以及暴露该第一鳍片群组的一第二区域；以及植入离子于该第一鳍片群组的该第二区域中。2.如权利要求1所述的方法，更包含：形成一氧化物层于个别鳍片之间以及于该多个鳍片群组之间且形成该SiN于该氧化物层上方。3.如权利要求2所述的方法，更包含：形成一第四图案化层至少于该第一鳍片群组的该第二区域上方。4.如权利要求3所述的方法，更包含：移除该第四图案化层以暴露该第一鳍片群组的一第三区域。5.如权利要求4所述的方法，更包含：植入离子于该第一鳍片群组的该第三区域中。6.如权利要求5所述的方法，更包含：沉积一第二氧化物层于该SiN及一a-Si层上方。7.如权利要求6所述的方法，更包含：平坦化该第二氧化物层向下到该a-Si层的一上表面。8.如权利要求7所述的方法，更包含：在平坦化该第二氧化物层后，移除该a-Si层。9.如权利要求8所述的方法，更包含：在移除该a-Si层后，植入离子于暴露的第二鳍片群组中。10.如权利要求8所述的方法，更包含：形成及图案化一第五图案化层以暴露该第二鳍片群组以及该第二氧化物层在该第二鳍片群组的两对边上的一部分。11.如权利要求10所述的方法，更包含：植入离子于该第二鳍片群组的一第一区域中。12.如权利要求11所述的方法，更包含：形成一第六图案化层于该第二鳍片群组的该第一区域上方以及暴露该第二鳍片群组的一第二区域。13.如权利要求12所述的方法，更包含：植入离子于该第二鳍片群组的该第二区域中。14.如权利要求13所述的方法，更包含：形成一第七图案化层于该第二鳍片群组的该第二区域上方以及暴露该第二鳍片群组的一第三区域。15.如权利要求14所述的方法，更包含：移除该第七图案化层；移除该第二氧化物层；以及移除该SiN。16.一种方法，其包含：在一基板上方的多个区域中形成多个鳍片群组；形成一氮化硅(SiN)于该多个鳍片群组上方；形成一非晶硅(a-Si)...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴鑫托，布莱恩·葛伦，马翰德·库玛，丹尼尔·J·德契恩，丹尼尔·杰格，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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