温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及用于半导体装置的阈值电压及井植入方法，其用于图案化及植入的方法提供多个具体实施例，包括下列步骤：形成多个鳍片；形成一SiN于该多个鳍片上方；形成一a‑Si层于该SiN上方；形成及图案化一第一图案化层于该a‑Si层上方；使用该第一图...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。