光刻工艺制造技术

本发明专利技术实施例提供一种低成本、高产量及高可靠性的无光式光刻工艺。将模板掩模接合至生产工件，且模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。本发明专利技术也提供一种用于执行无光式光刻工艺的系统。

【技术实现步骤摘要】
光刻工艺
本专利技术实施例是关于一种光刻工艺。
技术介绍
在制造集成电路(integratedcircuit，IC)的过程中，将执行多步骤程序的半导体工艺，以逐步地在半导体工件上形成电子电路。一种这样的半导体工艺是光刻(lithography)。光刻是用于将几何图案转移至半导体工件的工艺。光刻可通过(例如)光致光刻(photolithography)、带电粒子光刻(chargedparticlelithography)或纳米压印光刻(nanoimprintlithography)来执行。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻工艺，其成本低、产量高且可靠性高。本专利技术实施例提供一种光刻工艺，其包括以下步骤。将模板掩模接合至生产工件，其中模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。基于上述，本专利技术的光刻工艺为一种无光式光刻工艺(photo-freelithographyprocess)。在一些实施例中，执行无光式光刻工艺不需要沉积光致抗蚀剂层、以辐射来曝光光致抗蚀剂层、或显影光致抗蚀剂层，借此与光致光刻相比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻工艺，其特征在于包括：接合模板掩模至生产工件，其中所述模板掩模包括多个开口，所述多个开口定义图案；通过所述多个开口对所述生产工件执行蚀刻，以将所述模板掩模的所述图案转移至所述生产工件；以及自所述生产工件分离所述模板掩模。

【技术特征摘要】
2016.06.28 US 15/194,6311.一种光刻工艺，其特征在于包括：接合模板掩模至生产工件，其中所述模...

【专利技术属性】
技术研发人员：游秋山，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71