【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻的前烘工艺，属于光电子生产领域。
技术介绍
目前常用的光刻工艺，往往在甩胶之后直接进行光刻，虽然能够有效的节省时间，但是由于甩胶后胶的黏附性小，且芯片上容易残存胶膜的溶剂，导致光刻后出现掉电极的现象，需要返工，从而造成了不必要的浪费。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的不足，提供一种光刻的前烘工艺。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种光刻的前烘工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟；负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。本专利技术的有益效果是：本工艺在甩胶后增加前烘工艺，能够有效的去除胶膜中的溶剂，增加胶膜的耐磨性、黏附性。具体实施方式以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种光刻的前烘工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟；负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻的前烘工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：正胶—在
温度设置为...
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