版图光刻工艺友善性检查方法技术

一种版图光刻工艺友善性检查方法，包括：读取版图设计单元信息，根据版图设计单元信息获取重复设计单元的单元名字；基于重复设计单元的单元名字对整个版图设计进行划分和归类，以将整个版图设计的数据分为重复单元、重复单元相关数据以及重复单元无关数据。对于重复单元，模拟计算单个重复单元的数据。对于重复单元相关数据，模拟计算重复单元相关数据在光学模型直径范围内的光学影响。对于重复单元无关数据，根据版图设计的层次结构将重复单元无关数据切割为数据碎片。本发明专利技术基于重复单元对设计版图进行划分，只考虑光学模型直径范围内的其他图形对重复单元的光学影响；可减少重复类似设计单元的模拟和计算，实现更快速的光刻工艺友善性检查。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及DFM(Design For Manufacture)可制造性图形设计领域，更具体地说，本专利技术涉及一种基于设计知识产权的版图光刻工艺友善性检查方法。
技术介绍
如图1所示，现有的技术会首先进行版图设计101，随后获取版图和层次组织构建111；随后对整个版图根据层次组织(hierarchical organization)划分数据碎片(tile)121；并且分配给不同处理器(CPU)进行计算；数据碎片的大小受单个CPU内存大小限制，通常32nm节点的数据碎片的大小一般被设为35um,45nm节点的数据碎片的大小一般被设为50um。随后，执行基于数据碎片的光学邻近效应修正131；此后，产生修正后的层次图形141；最后，进行光学友善性模拟和检查151。对于大块面积的重复单元(如存储单元SRAM CELL)或者验证过的IP(Intellectual Property，知识产权)模块或者不允许修改的IP模块，上述方法会花费很多时间和成本在相同设计数据上，不利于快速有效地完成版图设计光刻工艺友善性检查。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种更快速有效的版图设计光刻工艺友善性检查。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种版图光刻工艺友善性检查方法，包括：获取版图设计；读取版图设计单元信息，并且根据版图设计单元信息获取重复设计单元的单元名字；基于重复设计单元的单元名字对整个版图设计进行划分和归类，以将整个版图设计的数据分为重复单元、重复单元相关数据以及重复单元无关数据。优选地，对于重复单元，模拟计算单个重复单元的数据。优选地，对于重复单元相关数据，模拟计算重复单元相关数据在光学模型直径范围内的光学影响。优选地，对于重复单元无关数据，根据版图设计的层次结构将重复单元无关数据切割为数据碎片。优选地，版图设计单元信息包括深度、面积和数目。优选地，根据面积和数目来确定重复设计单元的单元名字，由此获取重复设计单元的单元名字。优选地，重复单元占整个版图面积的1/100以上。优选地，重复单元的重复次数大于等于2。优选地，重复单元是知识产权模块。优选地，重复单元是已经验证过的知识产权模块和/或不允许修改的知识产权模块。本专利技术基于重复设计大面积单元对整个设计版图进行划分和归类，其中只考虑光学模型直径范围内的其他图形对上述大面积重复设计单元的光学影响；由此，本专利技术可以减少重复类似设计单元的模拟和计算，可以实现更加快速的版图设计的光刻工艺友善性检查。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据现有技术的现有版图光刻工艺友善性检查流程。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的版图光刻工艺友善性检查方法的流程图。图3A和图3B示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的版图数据划分示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的版图光刻工艺友善性检查方法的流程图。如图2所示，根据本专利技术优选实施例的版图光刻工艺友善性检查方法包括：第一步骤101：获取版图设计；第二步骤211：读取版图设计单元信息，并且根据版图设计单元信息获取大面积重复设计单元的单元名字；优选地，版图设计单元信息包括深度、面积和数目，在第二步骤211中，在得到所有版图设计单元信息后，根据面积和数目来确定大面积重复设计单元的单元名字；第三步骤221：基于大面积重复设计单元的单元名字对整个版图设计进行划分和归类，以将整个版图设计的数据分为重复单元222(一般是特定的IP模块，也可能是已经验证过的IP模块或者不允许修改的IP模块)、重复单元相关数据223以及重复单元无关数据224。优选地，重复单元222为大面积重复单元，例如重复单元222占整个版图面积的1/100以上，而且重复单元222的重复次数至少要大于等于2。对于重复单元222，模拟计算单个重复单元的数据，如果这个重复单元已经验证过的话，可以直接不用模拟计算和检查；对于重复单元相关数据223，模拟计算重复单元相关数据223在光学模型直径范围内的光学影响；对于重复单元无关数据224，根据版图设计的层次结构将重复单元无关数据224数据切割为数据碎片。剩余的步骤与现有技术的相同。具体地，对于重复单元222，可以获取重复单元的版图和层次组织架构231，将版图设计切割为数据碎片241，执行基于数据碎片的光学邻近效应修正251；此后，产生修正后的层次图形261；最后，进行光学友善性模拟和检查271。对于重复单元相关数据223以及重复单元无关数据224，可以设计框架单元优化232，将版图设计切割为数据碎片242，执行基于数据碎片的光学邻近效应修正252；此后，产生修正后的层次图形262；最后，进行光学友善性模拟和检查272。为了更好的理解版图数据划分和归类，图3A和图3B示出了一个简化的示例的示意图。如图3A所示，该一个版图设计主要由单元设计301(IP1)和一些其他数据构成，单元设计301重复放置6遍，但是内部有部分图形数据不同。单元设计301具体内容如图3B，其中306为第一金属线，307为第一通孔。整个设计版图数据将分为三部分。第一部分(如301)为6个大面积重复单元(IP1)，后续的模拟计算只需要对单个设计单元进行。第二部分为重复单元相关数据(如304和305)包含的非重复单元数据图形，虚线到重复单元数据内容边界的距离为R，这个距离等于光学模型半径，半径内的数据图形会对IP1有光学影响。部分IP相关数据302的光学影响范围(如302附近的虚线所示)，后续的数据切割和模拟运算会考虑这个范围的数据。第三部分为重复单元无关数据(如303)，这部分数据对重复单元无光学影响，它的数据切割和模拟运算是独立于重复单元的。所以对于已知验证过的重复单元。同样可以适用上述方法，可以直接省略模拟计算，只要考虑相关数据和无关数据部分，这样可以很大程度上加速图设计光刻工艺友善性的检查，节省软硬件资源。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种版图光刻工艺友善性检查方法，其特征在于包括：获取版图设计；读取版图设计单元信息，并且根据版图设计单元信息获取重复设计单元的单元名字；基于重复设计单元的单元名字对整个版图设计进行划分和归类，以将整个版图设计的数据分为重复单元、重复单元相关数据以及重复单元无关数据。

【技术特征摘要】
1.一种版图光刻工艺友善性检查方法，其特征在于包括：获取版图设计；
读取版图设计单元信息，并且根据版图设计单元信息获取重复设计单元的单元
名字；基于重复设计单元的单元名字对整个版图设计进行划分和归类，以将整
个版图设计的数据分为重复单元、重复单元相关数据以及重复单元无关数据。
2.根据权利要求1所述的版图光刻工艺友善性检查方法，其特征在于，对
于重复单元，模拟计算单个重复单元的数据。
3.根据权利要求1或2所述的版图光刻工艺友善性检查方法，其特征在于，
对于重复单元相关数据，模拟计算重复单元相关数据在光学模型直径范围内的
光学影响。
4.根据权利要求1或2所述的版图光刻工艺友善性检查方法，其特征在于，
对于重复单元无关数据，根据版图设计的层次结构将重复单元无关数据切割为
数据碎片。
5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟斌，朱忠华，魏芳，吕煜坤，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31