本发明专利技术涉及一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影；用0.8％氢氧化钠溶液对ITO显影；用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影；从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；最后用热氮烘干机吹干。本发明专利技术操作简单，更精确的控制显影过程，能有效减少显影不彻底或过显影现象。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影；用0.8％氢氧化钠溶液对ITO显影；用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影；从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；最后用热氮烘干机吹干。本专利技术操作简单，更精确的控制显影过程，能有效减少显影不彻底或过显影现象。【专利说明】—种新的LED光刻显影工艺
本专利技术涉及一种新的LED光刻显影工艺，属于LED生产领域。
技术介绍
LED行业是当今高新技术中领域非常重要的微电子领域之一，而LED制程中需要利用光刻显影，以往的技术，由于工艺缺陷，在显影过程中无法精确控制，导致显影不彻底或者出现过显影现象。
技术实现思路
本专利技术针对不足，提供一种新的LED光刻显影工艺。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下:(I)首先在显影槽中放满显影液，0.8%氢氧化钠溶液与2.38%四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；(2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；(3)用0.8%氢氧化钠溶液对N电极显影:先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(4)用0.8%氢氧化钠溶液对ITO显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(5)用2.38%四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5ΜΩ.Cm ；(7)最后用热氮烘干机吹干。进一步，所述热氮烘干机吹风时间为:大台、小台大流量吹300秒，电极大流量吹600 秒。本专利技术的有益效果是:本专利技术操作简单，能更精确的控制显影过程，有效减少显影不彻底或过显影现象。【具体实施方式】以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下:(I)首先在显影槽中放满显影液，0.8%氢氧化钠溶液与2.38%四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；(2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；(3)用0.8%氢氧化钠溶液对N电极显影:先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(4)用0.8%氢氧化钠溶液对ITO显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(5)用2.38%四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5ΜΩ.cm ；(8)最后用热氮烘干机吹干。所述热氮烘干机吹风时间为:大台、小台大流量吹300秒，电极大流量吹600秒。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下: (1)首先在显影槽中放满显影液，0.8%氢氧化钠溶液与2.38%四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动； (2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动； (3)用0.8%氢氧化钠溶液对N电极显影:先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水； (4)用0.8%氢氧化钠溶液对ITO显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水； (5)用2.38%四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影:先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水； (6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5ΜΩ- cm； (7)最后用热氮烘干机吹干。2.根据权利要求1所述的一种新的LED光刻显影方法，其特征在于，所述热氮烘干机吹风时间为:大台、小台大流量吹300秒，电极大流量吹600秒。【文档编号】G03F7/32GK103792799SQ201210447726【公开日】2014年5月14日 申请日期:2012年10月29日 优先权日:2012年10月29日 【专利技术者】马阁华 申请人:马阁华本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马阁华，
申请(专利权)人：马阁华，
类型：发明
国别省市：
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