通过负性显影形成光刻图形的方法技术

通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。其包含以下通式(I)的单元：

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电子设备的制造。更具体地，本专利技术涉及光刻方法，其允许利用负性显影(negative tone development)工艺形成精细图形。本专利技术发现了在半导体设备制造中的特殊用途并允许形成精细图形。
技术介绍
在半导体制造行业，光致抗蚀剂材料被用来将图像转移到沉积在半导体基材上的一个或多个底层，例如金属层、半导体层和介电层，以及基材本身。为了提高半导体设备的集成度并允许形成具有纳米范围尺寸的结构，具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻加工工具已经被开发和有待继续被开发。正性化学增幅光致抗蚀剂通常被用作高分辨率加工。这种抗蚀剂通常采用具有酸不稳定离去基团的树脂和光产酸剂。曝光于光化辐射导致产酸剂形成酸，在曝光后烘烤过程中，该酸导致树脂中酸不稳定基团的断裂。这造成了抗蚀剂的曝光区域和未曝光区域在碱显影剂水溶液中的溶解性能的差异。抗蚀剂的曝光区域在碱显影剂水溶液中可溶并从基材表面除去，而不溶于显影剂的未曝光区域在显影后保留以形成正性图像。在半导体设备中实现纳米级特征尺寸的一个方法是在化学增幅光致抗蚀剂的曝光过程中，使用短波长的光，例如193nm或更小。为了进一步提高光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形。其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元：其中：R1表示氢或C1?C3烷基；a表示1?3的整数；b表示0或1。FSA00000843182200011.tif

【技术特征摘要】
2011.11.03 US 61/555,4621.一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含: (a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材； (b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层； (C)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层； (d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和 (e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形。其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元:2.根据权利要求1的方法，其中所述聚合物进一步包含具有酸不稳定...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·C·裴，孙纪斌，李承泫，朴钟根，C·安德斯，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：