通过负性显影形成光刻图形的方法技术

通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。其包含以下通式(I)的单元：

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电子设备的制造。更具体地，本专利技术涉及光刻方法，其允许利用负性显影(negative tone development)工艺形成精细图形。本专利技术发现了在半导体设备制造中的特殊用途并允许形成精细图形。
技术介绍
在半导体制造行业，光致抗蚀剂材料被用来将图像转移到沉积在半导体基材上的一个或多个底层，例如金属层、半导体层和介电层，以及基材本身。为了提高半导体设备的集成度并允许形成具有纳米范围尺寸的结构，具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻加工工具已经被开发和有待继续被开发。正性化学增幅光致抗蚀剂通常被用作高分辨率加工。这种抗蚀剂通常采用具有酸不稳定离去基团的树脂和光产酸剂。曝光于光化辐射导致产酸剂形成酸，在曝光后烘烤过程中，该酸导致树脂中酸不稳定基团的断裂。这造成了抗蚀剂的曝光区域和未曝光区域在碱显影剂水溶液中的溶解性能的差异。抗蚀剂的曝光区域在碱显影剂水溶液中可溶并从基材表面除去，而不溶于显影剂的未曝光区域在显影后保留以形成正性图像。在半导体设备中实现纳米级特征尺寸的一个方法是在化学增幅光致抗蚀剂的曝光过程中，使用短波长的光，例如193nm或更小。为了进一步提高光刻性能，已经开发出浸没光刻工具以有效地提高成像设备透镜的数值孔径(NA)，例如具有KrF或ArF光源的扫描仪。这通过在成像设备的最后表面和半导体晶片的上表面之间使用相对高折射率的流体(即浸没流体)来实现。与使用空气或惰性气体介质会发生的情况相比，所述浸没流体允许更大量的光被聚焦到抗蚀剂层中。当使用水作为浸没流体时，最大数值孔径可以被提高到一个值，例如从1.2到1.35。随着数值孔径的这种提高，可能在单独一个曝光工艺中实现40nm半节距分辨率，从而改善设计收缩。但是这种标准的浸没光刻工艺通常不适于制造需要更大分辨率的设备，例如20nm节点和更大。为了努力实现更大的分辨率并扩展现有制造工具的能力，先进的图形化技术例如各种双图形化工艺(也被称为节距分离)已经被提出。另一种用来获得精细图形的先进图形化技术涉及传统正性化学增幅光致抗蚀剂材料的负性显影(NTD)。在负性显影中，通过使用特殊的有机溶剂显影可以从传统正性抗蚀剂得到负性图像。这一工艺被描述在例如Goodall等的美国专利N0.6，790, 579中。该文献公开了一种光致抗蚀剂组合物，包含产酸引发剂和沿聚合物骨架含有重复的酸不稳定侧基的多环聚合物。曝光区可以被选择性地用碱显影液除去，或者可选地，未曝光区可以被选择性地通过用合适的非极性溶剂处理除去作为负性显影。用于先进图形化应用的光致抗蚀剂中使用的基体聚合物通常是包括由含有用于极性转换的酸不稳定离去基团的单体、含有用于增强对比的内酯基团的单体和含有用于溶解度改性的极性基团的单体形成的单元的共聚物。使用含有由丙烯酸羟基金刚烷基酯(HADA)或甲基丙烯酸羟基金刚烷基酯(HAMA)单体形成的单元作为含极性基团单元的光致抗蚀剂基体聚合物是已知的。例如Tsubaki等的美国专利公开N0.2009/0011366A1公开了一种使用包含由这一单体形成的重复单元的树脂的负性显影方法。本专利技术人已经发现，由于在负性显影工艺中使用的有机显影剂中相对缓慢的溶解速率，包括含HADA和HAMA的基体聚合物的光致抗蚀剂在形成的抗蚀剂图形中可能导致桥接缺陷。在本领域改进光刻方法具有持续的需求，其允许在电子设备制造中形成精细图形并且处理一个或多个与本领域现状相关的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的第一个方面，提供了。所述方法包含:(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加一层光致抗蚀剂组合物；(C)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形。所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形。其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元：其中：R1表示氢或C1?C3烷基；a表示1?3的整数；b表示0或1。FSA00000843182200011.tif

【技术特征摘要】
2011.11.03 US 61/555,4621.一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含: (a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材； (b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层； (C)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层； (d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和 (e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形。其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元:2.根据权利要求1的方法，其中所述聚合物进一步包含具有酸不稳定...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·C·裴，孙纪斌，李承泫，朴钟根，C·安德斯，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：