【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体MEMS器件,尤其是涉及一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法。
技术介绍
硅材料具有理想的弹性特性和传热特性、热膨胀系数小、易集成、强度高等卓越的特性。硅材料通过加工工艺设计出各种凹坑、沟槽等三维立体维结构,制备出相应的MEMS结构。硅的各向异性湿法腐蚀是制备MEMS结构中应用广泛的方法,KOH溶液腐蚀硅的表面平整度和腐蚀速率不能同时兼顾,也就是说用高浓度的KOH溶液腐蚀时可以得到较好的表面平整度但是速率太慢,而利用低浓度的KOH溶液可以提高腐蚀速率但是腐蚀出来的表面非常粗糙(IrenaZubel等人在SensorsandActuatorsA所发表的题为“Theeffectofisopropyhalcoholonetchingrateandroughnessof(100)SisurfaceetchedinKOHandTMAHsolutions.”第三页提到在80℃,当KOH浓度低于7mol/L时,腐蚀速率随浓度增大而增大,高于7mol/L时,腐蚀速率随浓度增大而减小,最大腐蚀速率为0.9um/min,腐蚀速率越快,得到的(111)面越粗糙。)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供采用超声和在KOH添加IPA的方法,不但可克服低浓度KOH导致的腐蚀表面非常粗糙,还可克服高浓度KOH腐蚀率的慢的不利因素,并且可以忽略侧向腐蚀,有效缩短工艺周期,降低成本的一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法。本 ...
【技术保护点】
一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将(001)面硅片清洗后,用BOE去除表面的氧化层,在(001)面硅片表面生长一层SiO2薄膜作为掩膜;2)光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形,再后烘;3)把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜;4)去除光刻胶;5)把样品放入KOH溶液中进行腐蚀;6)将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中,反应后用水冲洗,即在001面硅片上腐蚀出111硅面。
【技术特征摘要】
1.一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将(001)面硅片清洗后,用BOE去除表面的氧化层,在(001)面硅片表面生长一
层SiO2薄膜作为掩膜;
2)光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形,再后烘;
3)把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜;
4)去除光刻胶;
5)把样品放入KOH溶液中进行腐蚀;
6)将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中,反应后用水冲洗,即在001面硅片上腐蚀
出111硅面。
2.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法,其特征在于在步骤1)
中,所述清洗是用体积比为3∶1的硫酸和双氧水清洗。
3.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法,其特征在于在步骤1)
中,所述生长一层SiO2薄膜采用干氧氧化(001)硅片的方法。
4.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法,其特征在于在步骤2)
中,所述光刻所用的光刻胶采用正性光刻胶,所述光刻的工艺过程包括匀胶...
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