浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置。本发明专利技术是用于得到消除显影缺陷的电子装置的浸液光刻显影方法，其目的在于提供简便、低成本且能够赋予可高速扫描的高防水性的工艺。本发明专利技术的目的是提供浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用了该显影处理方法的电子装置，该方法不引入新设备，并加入了利用价格便宜的材料所带来的改良。本发明专利技术的浸液光刻显影处理方法是包括利用了碱浸渍的显影工序的电子装置的浸液光刻显影处理方法，其特征是包括溶解除去工序，该溶解除去工序使用选择性溶解除去含有表面偏析剂和化学增幅型抗蚀剂的抗蚀剂中表面偏析剂的溶解除去溶液来进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用了浸液光刻的抗蚀图案的显影处理方法、在该显影 处理方法中使用的溶液和使用了该显影处理方法的电子装置。
技术介绍
浸液型曝光(浸液光刻)是在曝光机的透镜与作为加工对象的晶片 的微小空隙间利用水的表面张力形成水膜(弯液面)而使透镜与被照射 面(晶片最上层膜表面)之间高折射率化的方式，与通常的干式曝光相比可以提高有效的透镜数值孔径(NA)，具体来说，可以提高至水的 折射率1.44附近。因此，浸液光刻作为可增加光刻的析象分辨极限、使 形成的图案微细化的技术在工业上正被实用化。浸液光刻的概要示于图1。浸液光刻如图l所示，在载置于载物台 6上的晶片1的最上面所形成的感光性抗蚀剂层2与透镜3的微小空隙 间形成浸液7K 5来作为膜状的弯液面5a， 一边通过该弯液面5a进行光 照射一边扫描晶片1 (例如，图1中的箭头A)实施扫描曝光。在上述那样的浸液光刻中，由于在透镜3与作为被照射面(晶片1 的最上层膜表面)的感光性抗蚀剂层2之间存在形成上述水膜的浸液水 5,因此当使用通常的干式曝光用的化学增幅型抗蚀剂时，在构成该感 光性抗蚀剂层2的化学增幅型抗蚀剂中含有的光酸引发剂或碱等的低分 本文档来自技高网...

【技术保护点】
浸液光刻显影处理方法，其是具备抗蚀剂的电子装置的浸液光刻显影处理方法，所述抗蚀剂含有表面偏析剂和化学增幅型抗蚀剂，其特征在于，　包括有利用了碱浸渍的显影工序，　上述显影处理方法包括溶解除去工序，所述溶解除去工序使用选择性溶解除去上述抗蚀 剂中的上述表面偏析剂的溶解除去溶液而进行。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：寺井护，萩原琢也，石桥健夫，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]