金属包层的聚合物膜和电子装置制造方法及图纸

在第一方面，金属包层的聚合物膜包含粘附至第一金属层的聚合物膜。聚合物膜与第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(S

【技术实现步骤摘要】
金属包层的聚合物膜和电子装置


[0001]本公开的领域是金属包层的聚合物膜和电子装置、以及其形成方法。

技术介绍

[0002]金属包层的层压物(诸如铜包层的层压物)使用在电子装置中用于柔 性电路以及电路封装的各种电子部件。基于聚酰亚胺膜的铜包层的层压物 典型地通过对于大于5μm的金属厚度的层压或对于小于5μm的金属厚度 的溅射来制备。镀覆是生产层压物的替代性方法，其已经受到一些关注， 但其没有广泛使用于生产具有小于5μm的铜厚度的层压物。通常接受的 是，镀覆的聚酰亚胺铜层压物的可靠性低于用于电子装置的客户标准。
[0003]相对于通过铜箔的溅射或层压生产的金属包层，通过镀覆生产的金属 包层的层压物传统上已经具有差的热可靠性。最高可靠性的镀覆的层压物 已用的于化学镀镍种子层。使用化学镀铜作为种子(这将会改善信号损耗) 通常导致更低的剥离强度和剥离强度随老化的更大变化。镀覆的铜与聚酰 亚胺膜之间的粘附是具有挑战性的，这是因为膜中存在挥发物、膜表面通 过镀覆化学而降解、以及除了其他因素之外使用缺乏与铜的强化学键合的 功能性的膜材料。
[0004]另外，在电子装置的操作期间，由装置中的电子部件产生电场和磁场， 其可能干扰同一装置中或其他邻近装置中的其他电子部件的操作。该现象 称为电磁干扰(EMI)。金属通常使用于EMI屏蔽，因为它们的高导电性 使它们能够吸收EMI波。对于每种屏蔽材料，屏蔽效率的程度不是常数， 而是受输入信号的频率影响。屏蔽效率由以下确定：a)屏蔽体的导电性； b)屏蔽体的厚度、均匀性、以及平滑性；c)屏蔽体的物理特性；d)冲击 区域的频率和阻抗；以及e)材料的导磁性。还存在对于薄覆盖层的需要， 所述薄覆盖层包括用于电子部件的EMI屏蔽的薄金属层。

技术实现思路

[0005]在第一方面，金属包层的聚合物膜包含粘附至第一金属层的聚合物膜。 聚合物膜与第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(S
q
)小于1μm。当根 据IPC
‑
TM
‑
650测试方法测试具有25μm至75μm的厚度的聚合物膜和具 有18μm的厚度的第一金属层时，在150℃下老化168小时之后，聚合物 膜与第一金属层之间的剥离强度大于5N/cm。第一金属层的厚度是12μm 或更小。聚合物膜包含第一热塑性聚酰亚胺层。第一热塑性聚酰亚胺层衍 生自包含以下项的至少三种单体：
[0006]具有醚官能度的第一二酐；
[0007]70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基 苯氧基)苯的第一二胺；以及
[0008]0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺。
[0009]在第二方面，电子装置包含第一方面的金属包层的聚合物膜。
[0010]在第三方面，用于形成双面金属包层的聚合物膜的方法包括：
[0011]通过形成第一多层聚酰亚胺膜形成第一单面金属包层的聚合物膜，所 述第一多层聚酰亚胺膜包含粘附至第一热塑性层的第一热固性层和在与第 一热塑性层相反的一侧上粘附至第一热固性层的第二热塑性层，其中第一 热塑性层衍生自包含以下项的至少三种单体：
[0012]具有醚官能度的第一二酐；
[0013]70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基 苯氧基)苯的第一二胺；以及
[0014]0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺；
[0015]通过化学镀覆接着电解镀覆在第一热塑性层上形成第一金属层；
[0016]通过形成第二多层聚酰亚胺膜形成第二单面金属包层的聚合物膜，所 述第二多层聚酰亚胺膜包含粘附至第三热塑性层的第二热固性层，其中第 三热塑性层衍生自包含以下项的至少三种单体：
[0017]具有醚官能度的第一二酐；
[0018]70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基 苯氧基)苯的第一二胺；以及
[0019]0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺；
[0020]通过化学镀覆接着电解镀覆在第三热塑性层上形成第二金属层；并且
[0021]将第一单面金属包层的聚合物膜粘附至第二单面金属包层的聚合物 膜，以便使得第二热塑性层与第二热固性层接触。
[0022]前面的一般性描述和以下详细描述仅是示例性的和解释性的，并且不 限制如所附权利要求所限定的本专利技术。
具体实施方式
[0023]在第一方面，金属包层的聚合物膜包含粘附至第一金属层的聚合物膜。 聚合物膜与第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(S
q
)小于1μm。当根 据IPC
‑
TM
‑
650测试方法测试具有25μm至75μm的厚度的聚合物膜和具 有18μm的厚度的第一金属层时，在150℃下老化168小时之后，聚合物 膜与第一金属层之间的剥离强度大于5N/cm。第一金属层的厚度是12μm 或更小。聚合物膜包含第一热塑性聚酰亚胺层。第一热塑性聚酰亚胺层衍 生自包含以下项的至少三种单体：
[0024]具有醚官能度的第一二酐；
[0025]70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基 苯氧基)苯的第一二胺；以及
[0026]0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺。
[0027]在第一方面的一个实施例中，第一二酐选自由以下项组成的组：4,4
’‑ꢀ
氧二邻苯二甲酸酐(ODPA)、3,3
’
,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐(BPDA)、2,3
’
,3,4
’‑ꢀ
联苯四甲酸二酐(a
‑
BPDA)、2,2
’
,3,3
’‑
联苯四甲酸二酐(i
‑
BPDA)、4,4
’‑
(3,4
‑ꢀ
二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、1,4
‑
双(3,4
‑
二羧基苯氧基)苯二酐(HQDA)、 1,3
‑
双(2,3
‑
二羧基苯氧基)苯二酐、2,2
’
,3,3
’‑
氧二邻苯二甲酸酐、4,4
’‑
双(3,4
‑ꢀ
二羧基
‑
苯氧基)联苯胺二酐和4,4
’‑
双(3,4
‑
二羧基
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属包层的聚合物膜，其包含粘附至第一金属层的聚合物膜，其中：所述聚合物膜包含第一热塑性聚酰亚胺层，其中所述第一热塑性聚酰亚胺层衍生自包含以下项的至少三种单体：具有醚官能度的第一二酐；70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基苯氧基)苯的第一二胺；以及0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺；所述聚合物膜与所述第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(S
q
)小于1μm；当根据IPC
‑
TM
‑
650测试方法测试具有25μm至75μm的厚度的聚合物膜和具有18μm的厚度的第一金属层时，在150℃下老化168小时之后，所述聚合物膜与所述第一金属层之间的剥离强度大于5N/cm；并且所述第一金属层的厚度是12μm或更小。2.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第一二酐选自由以下项组成的组：4,4
’‑
氧二邻苯二甲酸酐(ODPA)、3,3
’
,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐(BPDA)、2,3
’
,3,4
’‑
联苯四甲酸二酐(a
‑
BPDA)、2,2
’
,3,3
’‑
联苯四甲酸二酐(i
‑
BPDA)、4,4
’‑
(3,4
‑
二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、1,4
‑
双(3,4
‑
二羧基苯氧基)苯二酐(HQDA)、1,3
‑
双(2,3
‑
二羧基苯氧基)苯二酐、2,2
’
,3,3
’‑
氧二邻苯二甲酸酐、4,4
’‑
双(3,4
‑
二羧基
‑
苯氧基)联苯胺二酐和4,4
’‑
双(3,4
‑
二羧基
‑
苯氧基苯基)醚二酐。3.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第一热塑性聚酰亚胺层包含50mol％至99.9mol％的所述第一二酐，并且进一步包含0.01mol％至50mol％的具有酮官能度的第二二酐。4.如权利要求3所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第二二酐选自由3,3
’
,4,4
’‑
二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)和2,3
’
,3,4
’‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：