一种LED扩膜工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下：打开扩膜机，待温度升至70-74℃；将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。本发明专利技术经对扩膜均匀性的改进后，扩膜后的芯片直径范围为2.8-3.0cm，扩膜均匀性提高，提高了分选、全检、目检的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下：打开扩膜机，待温度升至70-74℃；将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。本专利技术经对扩膜均匀性的改进后，扩膜后的芯片直径范围为2.8-3.0cm，扩膜均匀性提高，提高了分选、全检、目检的工作效率。【专利说明】 —种LED扩膜工艺
本专利技术涉及一种LED扩膜工艺，属于LED生产领域。
技术介绍
在LED生产制程后期，分选之前，需要将分解完后的芯片进行扩膜，使芯片上的管芯距离加大，以便分选作业，但传统的扩膜工艺，扩膜后的芯片形状不规则且尺寸变化很大，在2.4至3.2英寸之间，不仅影响美观，而且给全检和分选带来不便，影响工作效率。
技术实现思路
本专利技术针对不足，提供一种LED扩膜工艺。2.本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下:(I)打开扩膜机，待温度升至70_74°C ；(2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；(3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；(4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。本专利技术的有益效果是:本专利技术经对扩膜均匀性的改进后，扩膜后的芯片直径范围为2.8-3.0cm，扩膜均匀性提高，提高了分选、全检、目检的工作效率。【具体实施方式】以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下:(I)打开扩膜机，待温度升至70_74°C ；(2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；(3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；(4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下: (1)打开扩膜机，待温度升至70-74°C； (2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环； (3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟； (4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。`【文档编号】H01L33/00GK103794685SQ201210452005【公开日】2014年5月14日 申请日期:2012年10月29日 优先权日:2012年10月29日 【专利技术者】马阁华 申请人:马阁华本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下：(1)打开扩膜机，待温度升至70‑74℃；(2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；(3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5‑10秒钟；(4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马阁华，
申请(专利权)人：马阁华，
类型：发明
国别省市：山东;37