【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0119562的优先权，其内容通过引用方式并入于此。
本专利技术涉及半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
半导体发光器件（LED）是通过使用p-n结结构的特性而在对器件施加电流时根据电子空穴复合产生光能的器件。也就是说，当对由特定元素形成的半导体上施加正向电压时，电子和空穴移动通过正电极和负电极的交界处，从而复合。复合的电子和空穴具有的能级低于当他们单独（分开）时的能级。由于能级差异导致发光。通过将支撑衬底附接至位于生长衬底上的发光结构，并去除生长衬底，来制造发光二极管（LED）。通常使用激光剥离工艺来去除生长衬底。但是，由于激光照射，导致激光剥离工艺可能在与生长衬底相邻的区域中的半导体层中产生微裂纹，由此降低LED的发光效率。通过使用另外的工艺可以避免这样的损坏。但是，另外的工艺大体上使LED的制造变复杂。
技术实现思路
本公开的一个方面提供了半导体发光器件及其制造方法，所述半导体发光器件由于稳定地与生长衬底分离，因此具有增强的可靠性。本公开的另一方面提供了一种半导体发光器件及其制造方法，由于使用简化的制造工艺来形成所述半导体发光器件，因此其具有高度价格竞争力和高照明效率。根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体发光器件的方法。所述方法...
【技术保护点】
一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案，所述隔离图案在所述半导体单晶生长衬底上限定了布置在所述隔离图案的多个部分之间的多个芯片单元区域；在所述半导体单晶生长衬底上的由所述隔离图案限定的芯片单元区域中顺序地生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，从而形成发光结构，该发光结构的高度低于所述隔离图案的高度；形成反射金属层，以覆盖所述发光结构和所述隔离图案；在所述反射金属层上形成支撑衬底；从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底；以及将所述支撑衬底切割为单独的发光器件。
【技术特征摘要】
2012.10.26 KR 10-2012-01195621.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：
在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案，所述隔离图案在所述
半导体单晶生长衬底上限定了布置在所述隔离图案的多个部分之间
的多个芯片单元区域；
在所述半导体单晶生长衬底上的由所述隔离图案限定的芯片单
元区域中顺序地生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半
导体层，从而形成发光结构，该发光结构的高度低于所述隔离图案的
高度；
形成反射金属层，以覆盖所述发光结构和所述隔离图案；
在所述反射金属层上形成支撑衬底；
从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底；以及
将所述支撑衬底切割为单独的发光器件。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
在从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底之后，从所
述发光结构上去除所述隔离图案。
3.如权利要求2所述的方法，还包括：
在去除所述隔离图案之后，在所述发光结构的侧表面上、在所
述发光结构上的去除了所述半导体单晶生长衬底的那个表面的部分
上、在所述反射金属层的侧表面上、以及在所述反射金属层上的没有
形成所述发光结构的上表面的区域上形成钝化层。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述隔离图案被形成为相
对于所述半导体单晶生长衬底的表面非直角倾斜。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述反射金属层包括以下中
的至少一个：银（Ag）、镍（Ni）、铝（Al）、铑（Rh）、钯（Pd）、
\t铱（Ir）、钌（Ru）、镁（Mg）、锌（Zn）、铂（Pt）、和金（Au）。
6.如权利要求1所述的方法，还包括：
在从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底之后，对所
述发光结构用于发光的表面进行蚀刻，以形成光提取图案。
7.如权利要求1所述的方法，还包括：
在去除所述半导体单晶生长衬底之后，在所述发光结构上的去
除了所述半导体单晶生长衬底的上表面上形成电极，其中操作所述电
极来对所述发光结构供电。
8.如权利要求7所述的方法，还包括：
在形成用于对所述发光结构供电的电极的同时，或者在形成用
于对所述发光结构供电的电极之后，在所述支撑衬底的下表面上形成
金属层。
9.一种半导体发光器件，包括：
导电衬底；
布置在所述导电衬底上的反射金属层；
发光结构，其包括顺序地布置在所述反射金属层上的第二导电
型半导体层、有源层、和第一导电型半导体层；
绝缘层，其覆盖所述发光结构的侧表面、所述反射金属层的侧
表面、以及所述反射金属层上的没有布置所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金台勋，金成埈，金容一，柳荣浩，孙明洛，李守烈，李承桓，张泰盛，皇甫秀珉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。