提高光刻工艺能力的系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种提高光刻工艺能力的系统及方法，根据光刻工艺需求，调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数，从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后，以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面，进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形，进一步的完成光刻工艺；本发明专利技术提供的提高光刻工艺能力的系统及方法，能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口，平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸，且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题，进而提高了生产效率和降低了制造成本，且提高了器件的良率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高光刻工艺能力的系统，应用于硅片的光刻工艺中，所述系统包括聚光透镜，其特征在于，所述系统还包括一多灰度圆环形照明光圈；所述多灰度圆环形照明光圈设置于所述聚光透镜的瞳孔平面；所述多灰度圆环形照明光圈上还设置有六级照明组合；其中，所述六级照明组合包括六个透光孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：