同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。本发明专利技术简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻涂布装置产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻工艺的匹配方法，尤其涉及一种。
技术介绍
对于不同光刻涂布装置的工艺匹配，当相同图形尺寸发生偏移时，在量产一个产品时，将会有相同型号的多台光刻涂布装置进行同一工艺层的生产，由于每台光刻涂布装置对同一层的尺寸并不能做到完全一致，这就需要调整曝光参数NA和sigma，目前应用中会用很多片晶圆进行曝光参数的调整，一片晶圆对应一个参数，然后进行曝光和量测，不同的产品又要重复相同的工作，这就导致了大量晶圆的费用，增加了工程师的超常工作量。因此，本领域的技术人员致力于开发一种简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，适用于批量生产的光刻涂布装置的匹配方法。
技术实现思路
鉴于上述的现有技术中的问题，本专利技术所要解决的技术问题是现有的技术中光刻涂布装置的匹配方法耗时耗力。本专利技术提供的一种，所述光刻涂布装置包括相连的光阻涂布机和光刻机，包括以下步骤步骤1，设计基准晶圆和基准图形；步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构，所述第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻涂布装置与第一光刻涂布装置应用于同一光刻工艺中，所述第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。在本专利技术的一个较佳实施方式中，所述曝光参数为数值孔径或照明相干因子。在本专利技术的另一较佳实施方式中，所述第一光刻涂布装置和/或第二光刻涂布装置中的光刻机为浸润式光刻机。在本专利技术的另一较佳实施方式中，所述浸润式光刻机中的紫外线的波长为248nm 或 193nm。在本专利技术的另一较佳实施方式中，所述基准图形的图形结构为密集线条、隔离线条、头对头线条或T子形线条。在本专利技术的另一较佳实施方式中，所述基准图形的线宽尺寸与所述同一光刻工艺的特征尺寸相同。本专利技术简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻涂布装置产生的3图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。附图说明图I是本专利技术的实施例的结构示意图；图2是本专利技术的实施例的不同光刻涂布装置的相同图形尺寸曲线图。具体实施方式以下将结合附图对本专利技术做具体阐释。本专利技术的，包括以下步骤步骤1，设计基准晶圆和基准图形；步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构。其中第一图形的线宽尺寸与基准图形相同；步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构。其中第二光刻涂布装置与第一光刻涂布装置应用于同一光刻工艺中。第二图形的线宽尺寸与基准图形相同；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。光刻涂布装置中包括光阻涂布机和光刻机，由于不同的光刻机即使在相同的曝光参数下也可能曝光出不同尺寸的图形，而同一光刻工艺中又要求必须具有同一的图形尺寸，本专利技术利用一个基准晶圆，经不同的光刻涂布装置曝光，随后调整曝光参数以使不同的光刻涂布装置曝光的图形尺寸一致，使得产品质量在不同的光刻涂布装置生产时都能保持最优。本专利技术简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻涂布装置产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。如图I中所示，基准图形的图形结构可为密集线条I、隔离线条2、头对头线条3或 T字形线条4。在本专利技术的实施例中，曝光参数可为数值孔径(numerical aperture,简称NA)或照明相干因子(sigma)。使用一系列的NA或sigma参数曝光基准晶圆上的不同曝光区域， 以得到不同参数下的不同的图形。其中可以使用一系列逐渐增大的NA或sigma参数。此外，在本专利技术的实施例中，第一光刻涂布装置和/或第二光刻涂布装置中的光刻机可为浸润式光刻机。并且，光刻机型号有248nm波长或193nm波长浸润式光刻机。在本专利技术的实施例中，基准图形可以为ID或2D图形，其适用范围为90纳米技术节点以下光刻生产工艺。另外，在本专利技术的实施例中，基准图形的线宽尺寸与同一光刻工艺的特征尺寸相同。从而可以有针对性的测试并调整光刻工艺中的不同光刻涂布装置。如图2中所示，在本专利技术的实施例中，第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置应用不同的NA和sigma参数得了大致相同的图形结构特性。图中曲线10为第一光刻涂布装置应用NA和sigma参数得到的一系列图形尺寸结构，曲线20为第二光刻涂布装置应用NA 和sigma参数得到的一系列图形尺寸结构；横坐标为图形的线宽尺寸；纵坐标为图形的CDCN 102540758 A大小。以上对本专利技术的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本专利技术并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本专利技术进行的等同修改和替代也都在本专利技术的范畴之中。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本专利技术的范围内。权利要求1.一种，所述光刻涂布装置包括相连的光阻涂布机和光刻机，其特征在于，包括以下步骤步骤1，设计基准晶圆和基准图形；步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构，所述第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻涂布装置与第一光刻涂布装置应用于同一光刻工艺中，所述第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。2.如权利要求I所述的，其特征在于， 所述曝光参数为数值孔径或照明相干因子。3.如权利要求I所述的，其特征在于， 所述第一光刻涂布装置和/或第二光刻涂布装置中的光刻机为浸润式光刻机。4.如权利要求3所述的，其特征在于， 所述浸润式光刻机中的紫外线的波长为248nm或193nm。5.如权利要求I所述的，其特征在于， 所述基准图形的图形结构为密集线条、隔离线条、头对头线条或T字形线条。6.如权利要求I所述的，其特征在于， 所述基准图形的线宽尺寸与所述同一光刻工艺的特征尺寸相同。全文摘要本专利技术提供的一种，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。本专利技术简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻涂布装置产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。文档编号G03F7/16GK102540758SQ201110386758公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月29日 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑，毛智彪，戴韫青，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：