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一种光刻的前烘工艺制造技术
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文档序号:10075039
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本发明涉及一种光刻的前烘工艺,其特征在于,所述工艺方法如下:正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟;负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。本工艺在甩胶后增加前烘工艺,能够有效的去除胶膜中的溶剂,增加胶膜的耐磨性、黏附性。...
该专利属于张恒所有,仅供学习研究参考,未经过张恒授权不得商用。
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