用于光刻工艺窗口最优化的方法和系统技术方案

一种用于关于光刻工艺窗口的布图最优化的新型方法和系统，其促进光刻约束不被局部化，以便于提供通过工艺窗口印刷给定电路的能力，该工艺窗口超过使用常规的简化设计规则获得的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于最优化集成电路布图以便于最佳化动态定义的光刻工艺的新型方法和系统，在该光刻工艺中，在固定边缘位置处不应用光刻公差，以便于与使用常规设计规则得到的用于印刷功能电路的工艺窗口相比，获得更大的工艺窗口。
技术介绍
光刻约束是确定电路布图效率的一个重要因素。本质上，常规地，光刻约束由通常受限的光刻工艺在公差内的指定位置处成功印刷边缘的能力确定。光刻工艺包括利用光刻曝光工具从方向范围照亮光刻掩膜，并将掩膜的投影图像聚焦到感光膜上，该感光膜涂覆在诸如硅晶片的晶片上部分制造的集成电路上。光刻工艺窗口体现出释放的光能量(剂量)和图像平面散焦的范围，在该范围内，投影的图像充分地体现出期望的电路形状。在图像形成后，显影感光膜，并将印刷的图形转移到电路中的功能工艺层中。最终的电路则由许多彼此在顶上层叠的这种构图级组成。图1示出了现有技术最常用的称为形状定向(shape-directed)光学邻近效应修正(OPC)的OPC工艺的总的系统流程。在形状定向OPC中，反复地调节光刻工艺的某些方面(通常为掩膜上的特征边缘的位置)以使得印刷的形状保形于设计形状。(设计形状通常为由电路设计师提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于晶片上的集成电路布图以及制造集成电路布图的可叠加掩膜和掩膜级的光刻工艺窗口最优化的方法，其中用来自方向范围的光辐射束照亮所述掩膜和掩膜级，所述方法包括：确定印刷电路特征边缘位置的预备组；确定在所述电路特征边缘的可允许 位置上的连接约束组；　将依赖区域的中心初始设置在所述电路特征边缘的预备位置处；计算在所述依赖区域内投影的图像强度的模型；调节在所述掩膜上提供的形状和所述光束的强度，所述光束照亮所述掩膜以将所述晶片上满足所述连接约束组 的图像投影在基于计算模型的尽可能宽的曝光范围上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：邢福仑，MA拉文，李金福，DL奥斯塔普科，AE罗森布卢特，成乐根，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]