【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制作纳米尺寸间距的电极的方法，该方法包括：步骤１：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；步骤２：在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；步骤３：在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；步骤４：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤５、用恒温ＴＭＡＨ溶液去除基底材料层，从而只保留下纳米尺寸的侧墙；步骤６：最后采用光刻＋剥离工艺或者光刻＋干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米尺寸间距的电极的金属层；步骤７、用湿法腐蚀方法去除侧墙同时剥离掉附着在侧墙材料层上的金属层，形成纳米尺寸间距的电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张加勇，王晓峰，杨富华，王晓东，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。