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本发明公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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