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方向性的图案化方法公开于此。例示性的方法包含进行光刻工艺以形成图案化的硬掩模层于晶片上，其中图案化的硬掩模层包含硬掩模结构，其具有相关的水平定义特征。调整蚀刻工艺，以将蚀刻品导入实质上水平的方向(相对于晶片的水平面)，因此蚀刻工艺水平地移除...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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