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本发明涉及半导体微纳结构制造技术领域，具体涉及一种纳米线条的修复方法，所述方法包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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