一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法技术

本发明专利技术公开一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上形成金属层间介质层；步骤S2：对金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置；步骤S3：在顶层器件之异于硅基衬底一侧设置聚酰亚胺及钝化层；其中，在对金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置前，进一步包括：步骤S0：对金属层间介质层进行合金化热处理。本发明专利技术将聚酰亚胺当做光阻使用进行钝化层蚀刻，减少钝化层的曝光制程；同时，在对金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置前，对金属层间介质层进行合金化热处理，可以将前制程引入的电荷消除，使得器件与基线相符。

【技术实现步骤摘要】
一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法。
技术介绍
聚酰亚胺(Polyimide,PI)材料由于其具有良好的耐高温特性、机械性能、电学性能，以及化学稳定性，现已被广泛的应用于半导体器件的钝化层工艺中，以减少各种自然环境对半导体器件造成的损害，从而提高器件的可靠性和稳定性。目前，为了降低成本和提高效率，将聚酰亚胺(Polyimide,PI)当做光阻使用进行钝化层(Passivation,PA)蚀刻，则可减少钝化层的曝光制程，即减少一次光罩。但是，由于氮化硅钝化层的阻隔，传统的聚酰亚胺、钝化层掩膜合并会使得合金化热处理(Alloy)不足，导致前制程工艺中引入的电荷在栅氧化层中难以消除，从而使器件严重偏离基线。为了避免上述缺陷与不足，现有工艺一般通过延长最终合金化热处理(Alloy)的时间，或者增加额外的聚酰亚胺固化，以弥补热处理的不足。但是，经试验证明，上述方法均难以使得器件与基线相符。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成金属层间介质层；执行步骤S2：对所述金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置；执行步骤S3：在顶层器件之异于硅基衬底一侧设置聚酰亚胺及钝化层；其中，在对所述金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置前，进一步包括：执行步骤S0：对所述金属层间介质层进行合金化热处理(Alloy)。

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成金属层间介质层；执行步骤S2：对所述金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置；执行步骤S3：在顶层器件之异于硅基衬底一侧设置聚酰亚胺及钝化层；其中，在对所述金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置前，进一步包括：执行步骤S0：对所述金属层间介质层进行合金化热处理(Alloy)。2.如权利要求1所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，其特征在于，所述合金化热处理的温度控制范围为300～600℃。3.如权利要求1所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，其特征在于，所述合金化热处理的工艺气体之N2与H2的流量(slm)比例控制范围为10:0.1～10:100。4.如权利要求1所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，其特征在于，所述合金化热处理的温度为450℃，所述合金化热处理的工艺气体之N2与H2的流量(slm)比例为10:1.5。5.如权利要求1所述聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐杰，李志国，黄冲，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31