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本发明公开一种聚酰亚胺及钝化层掩膜合并的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上形成金属层间介质层；步骤S2：对金属层间介质层进行化学机械研磨，并进行顶层器件设置；步骤S3：在顶层器件之异于硅基衬底一侧设置聚酰亚胺及钝化层；其中，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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