本文提供的公开内容的实施方式一般涉及底部覆盖板(BCR)，该底部覆盖板实现对用于处理基板的腔室内部的加热元件的辐射损失的控制。加热元件用于在处理之前或期间加热基板，并且可能因腔室中不均匀的热损失而不均匀地加热基板。举例而言，基板的不均匀...

本发明涉及通过控制离子能量分布来处理基板的方法和处理腔室。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。

本文描述的实施方式涉及子像素。子像素包括阳极、悬伸结构、分隔结构、有机发光二极管(OLED)材料和阴极。阳极由相邻的第一像素隔离结构(PIS)和相邻的第二PIS限定。悬伸结构设置于第一PIS上。悬伸结构包括设置在第一结构上方的第二结构和...

在半导体处理腔室中产生等离子体的方法，包括：施加射频(RF)功率以在该处理腔室的等离子体区域中产生等离子体，该处理腔室包括：喷头、离子阻隔板和基板，且该等离子体区域由该喷头的前表面和该离子阻隔板的背表面界定；及对该离子阻隔板施加偏压，使...

本文所述的实施例涉及一种设备，该设备包括：基板、设置在基板上方的多个相邻的像素限定层(PDL)结构，以及多个子像素。每个子像素包括相邻的第一悬垂部、相邻的第二悬垂部、阳极、空穴注入层(HIL)材料、附加的有机发光二极管(OLED)材料，...

半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一...

本文中描述一种用于确定处理腔室内的基板的温度的方法和装置。本文所述方法和装置利用标准具组件和外差效应来确定基板的第一温度。在不物理地接触基板的情况下确定基板的第一温度。单独的温度传感器也在类似位置处测量基板和/或基板支撑件的第二温度。利...

描述了使用3色处理降低3D DRAM装置中的晶片弯曲的方法。多个膜堆叠形成在基板表面上，每个膜堆叠包括两个经掺杂SiGe层及经掺杂硅层，两个经掺杂SiGe层具有不同的掺杂剂数量及/或Si:Ge比例。也描述了3D DRAM装置。

本文提供了用于在每一侧的PVD溅射之间在真空中翻转基板以增加产量的设备和方法。在本文所公开的一些实施例中，提供了用于在真空中翻转基板的处理系统的模块。所述模块包括用于固定基板的夹持组件、耦合到夹持组件以用于旋转夹持组件的第一电机组件、及...

所公开的实施方式描述了一种包括光源、光学传感器和处理设备的系统。所述光源在第一时间期间，将探测光通过窗口引导到处理腔室中。所述光源在第二时间期间，停止将所述探测光通过所述窗口引导到所述处理腔室中。所述光学传感器在所述第一时间期间，检测第...

本文所述的实施方式提供了一种腔室，该腔室具有气流入口引导器以均匀地输送处理气体。该气流入口引导器具有带开口的流引导器底板。顶板设置在该流引导器底板上方，并且等离子体阻挡器设置在开口上方。该等离子体阻挡器包括一个或更多个孔隙，该一个或更多...

本公开内容提供了一种用于在真空腔室内运输载体100的载体运输系统以及一种用于基板的真空处理的设备。所述载体运输系统包括：轨道组件，所述轨道组件具有至少一个被动磁单元(410、610)，所述至少一个被动磁单元410、610被构造为抵消所述...

本文公开了基板支撑组件及具有基板支撑组件的处理腔室。在一个实施方式中，提供一种基板支撑组件，其包括主体。主体具有中心、连接基板支撑表面的外部周围、及背侧表面。主体额外地具有布置于基板支撑表面上在中心处的口袋，及布置于口袋及外部周围之间的...

一种沉积室系统，包括：反应器接口；导流件，该导流件附接到该反应器接口；反应器框架，该反应器框架设置在该反应器接口下方以固定基板；以及弹性物体，该弹性物体具有对应于附接到该反应器框架的基部的第一端部和对应于设置在该反应器接口下方的压缩主体...

用于清洁基板上的触点的方法并入离子控制以选择性地移除氧化物。所述方法包括：将所述基板暴露于惰性气体的离子；将第一偏置电源的第一RF频率供应至基板支撑件；将第二偏置电源的第二RF频率供应至基板支撑件；以及调整所述第一RF频率的第一功率水平...

描述了一种示例性基板处理方法。方法可包括在金属层上提供钪掺杂的氮化铝层。方法可进一步包括以蚀刻组成物蚀刻钪掺杂的氮化铝层的一部分。蚀刻组成物可包括大于或约80wt.％的磷酸。组成物可进一步具有特征在于蚀刻期间大于或约90℃的温度。

示例性基板处理系统可包括限定传送区域的腔室主体。系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定第一多个孔和第二多个孔。系统可包括与第一多个孔的数量相等的多个盖堆叠。每个盖堆叠可包括扼流板，所述扼流板沿着扼流板的第一表面安置在盖板上。扼流板...

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在限定半导体处理腔室的处理区域的表面上沉积含硅层。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区...

本文描述的实施方式涉及一种设备，所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构限定。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。悬伸...

方法及装置减少物理气相(PVD)腔室中处理的基板中的缺陷。在一些实施方式中，清洁工艺腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法包括：在PVD腔室的基板支撑件上安置非溅射遮盘；激发PVD腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应...