本发明公开的实施方式包括一种具有传感器组件的基板支撑件，以及具有所述基板支撑件的处理腔室。在一个实施方式中，基板支撑件具有定位盘。所述定位盘具有工件支撑表面以及排出所述工件支撑表面的气孔。传感器组件被设置在所述气孔中，且经配置以检测一度...

一种方法包括：识别以下项目中的至少一者：与由基板处理设施中的基板处理工具所处理的历史基板批相关联的历史数据，或由模拟基板处理工具所处理的模拟基板批的模拟数据。该方法进一步包括根据历史基板批的历史数据或模拟基板批的模拟数据中的至少一者产生...

本文提供了用于处理基板的方法及装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室包含：溅射靶材；腔室壁，至少部分地界定处理腔室之内的内部空间并且连接至地；电源，包含射频电源；处理套组，围绕溅射靶材及基板支撑件；自动电容调谐器(ACT)，连接至地及溅...

本公开内容总体涉及用于半导体处理的工艺腔室。在一个实施方式中，提供用于基板处理的生长监测器。生长监测器包括传感器保持器及设置在传感器保持器中的晶体，所述晶体具有前侧及背侧。在传感器保持器中形成暴露晶体前侧的开口。气体入口穿过传感器保持器...

一种沉积室系统，包括反应器接口；导流件，所述导流件附接至所述反应器接口；反应器框架，所述反应器框架设置在所述反应器接口下方以紧固基板；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与设置在所述反应器框架上方的压...

本文提供用于处理基板区的方法和装置。例如，一种用于在基板上增强表面亲水性的方法包括：a)使用远程等离子体源，将水蒸气等离子体供应至等离子体处理腔室的处理容积，以处置基板的接合表面，b)以从约1kHz至10GHz的频率和从约1kW至10k...

本文揭露的实施方式包括蚀刻3D结构的方法。在一实施方式中，该方法包括：在微波等离子体腔室中提供3D结构。在一实施方式中，3D结构包括基板，以及在基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层。在一实施方式中，该方法进一步包括：使第一气体流入该微波等...

一种化学机械抛光装置具有：压板，所述压板支撑抛光垫；载体头，所述载体头包括刚性外壳并被配置为将基板的表面固持抵靠所述抛光垫；电动机，所述电动机用于产生在所述压板与所述载体头之间的相对运动，以便抛光所述基板；原位载体头监测系统，所述原位载...

半导体处理的示例性方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上形成含碳材料层。基板可包括第一介电材料的暴露区域和含金属材料的暴露区域。含碳材料层可在含金属材料的暴露区域上方选择性地形成。形成含碳材料层可包括提供与含金属材料选择性...

描述了一种用于在基板处理系统中装载或卸载基板的升降销、一种用于在基板处理系统中装载和卸载基板的升降销组件、一种用于升降销阵列的销阵列板、一种用于在基板处理系统中装载或卸载基板的升降销阵列和一种用于在真空腔室中处理基板的处理系统。所述升降...

本文提供了湿式清洁腔室的实施例。在一些实施例中，一种湿式清洁腔室包括：盖板；基板支撑件，所述基板支撑件可旋转并被配置为支撑基板；转子，所述转子绕所述基板支撑件设置并被配置为与所述基板支撑件一起旋转，其中所述转子包括上部流体收集区域，所述...

所揭示的实施方式描述了一种方法，其使用模型来预测由基板处理设备中的技术过程的一或多个阶段引起的样品物理状态的变化，并获得与技术过程的一或多个阶段的实际执行相关联的成像数据。成像数据包括样品的多个区域的一或多种化学元素的分布。方法进一步包...

一种用于处理基板的装置可包括气体分配板，所述气体分配板包括上部板和下部板以及在上部板和下部板之间的实心盘。上部板和下部板中的每一者具有中心区域和围绕中心区域的外部区域，中心区域是实心的并且外部区域具有多个通孔。上部板和下部板沿着中心轴同...

描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地...

描述一种用于向处理腔室供应气体的设备和方法。设备包括入口管线和出口管线，它们各自有两个阀，与安瓿流体连通。旁通管线连接最靠近安瓿的入口阀和出口阀。设备和使用方法允许从处理腔室的输送管线中去除前驱物残余物。

晶片周边处的状态可被表征并可用于调节在镀覆处理期间由堰窃流电极汲取的电流，以产生更均匀的膜厚度。当晶片旋转时，电极可位于镀覆室中且在晶片周缘附近。为了表征密封件上的电触点，可以将具有种晶层的晶片装载到镀覆室中，并且可驱动恒定电流通过电极...

本文公开的实施方式包括一种用于自动调谐系统的方法。在一个实施方式中，该方法包含确定系统是否处于稳态。此后，该方法包括对系统进行激励。在一个实施方式中，该方法包含储存来自激励系统的处理反馈测量以提供一组储存数据。在一个实施方式中，该组储存...

一种方法包括以下步骤：接收与由制造设备所生产的第一基板相关联的第一计量数据。该方法进一步包括以下步骤：利用包括该第一计量数据的数据输入训练第一机器学习模型，以产生第一经训练的机器学习模型。该第一经训练的机器学习模型能够降低与由第二制造设...

本文提供用于处理基板的方法和装置。例如，用于处理基板的方法包括以下步骤：对基板执行第一真空处理程序；从真空热电耦获得所述基板的温度测量；从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量；基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传...

描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些...