一种方法包括通过处理装置接收指示处理配方的第一数据。方法进一步包括接收第二数据。第二数据包括与处理配方相关联的操作数据。方法进一步包括接收第三数据。第三数据包括与处理配方相关联的历史数据。方法进一步包括基于第一数据、第二数据、和第三数据...

描述了半导体设备和其制造方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成底部介电隔离(BDI)层，并且在源极/漏极沟槽中沉积模板材料。对该模板材料进行蚀刻，然后使其结晶。然后进行源极和漏极区域的外延生长，生长有利地发生在源极和漏极区域的底部和侧壁上。

一种等离子体处理腔室包含一个或多个侧壁并且在侧壁内的支撑表面固持工件。独立气体注入器的阵列围绕侧壁分布。泵送口沿着侧壁以从腔室喷射气体。在工件上的材料的蚀刻速率均匀性通过以下步骤控制：使用阵列气体注入器跨工件注入一个或多个气体流；从相邻...

示例性电镀系统可包括容器。这些系统可包括设置于所述容器中的桨。桨的特征可在于第一表面及第二表面。所述桨的所述第一表面可包括从所述第一表面向上延伸的多个肋。所述多个肋可以以基本上平行的方式围绕所述第一表面布置。所述桨可界定穿过所述桨的厚度...

描述了半导体装置及其制造方法。所述方法形成包括半导体隔离桥的3DDRAM架构，从而消除浮体效应。所述方法包括在深沟槽隔离开口中形成外延层并且在相邻的深沟槽隔离开口之间产生半导体隔离桥。

示例性浆料递送组件可包括浆料流体源。组件可包括具有管腔入口和管腔出口的浆料递送管腔。管腔入口可与浆料流体源的输出流体耦接。组件可包括与管腔出口流体耦接的解块管。解块管可包括管入口和管出口。组件可包括与解块管耦接的一个或多个超声波换能器。

本文提供的实施例包括一种用于使用刷子转盘组件清洁基板的第一表面的系统和方法。在一个实施例中，刷子转盘组件包括一个或多个可旋转刷子安装组件，所述一个或多个可旋转刷子安装组件耦合到可旋转托架，具有被配置成围绕托架轴线旋转的托架支撑结构。刷子...

公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

本公开内容提供一种用于在真空沉积工艺中在基板上进行材料沉积的设备。所述设备包括：靶材支撑件；两个或更多个靶材分段，所述两个或更多个靶材分段由所述靶材支撑件支撑，其中在所述两个或更多个靶材分段的相邻靶材分段之间设有第一间隙；和两个或更多个...

示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。...

描述了一种用于校正处理腔室内的温度的方法及设备。该方法包括确定该处理腔室内的层的蚀刻速率。该处理腔室为被配置为在半导体制造期间使用的沉积腔室。该蚀刻速率被用于确定该处理腔室内的温度。随后将该处理腔室内的该温度与校正温度进行比较以确定温度...

一种用于清洁基板的清洁装置，包括：灯，所述灯用于在照射区域中发射紫外线辐射；外壳，所述外壳容纳灯；水偏转器，在外壳下方间隔开来，水偏转器具有用于接收臭氧水的供应的水入口及用于将通过灯照射的臭氧水排放至水偏转器下方的基板处理区域中的水出口...

本文的本公开的实施例包括用于处理基板的设备。更具体地，本公开的实施例提供基板支撑组件，所述基板支撑组件包括静电卡盘(ESC)组件。ESC组件包括：冷却基底，所述冷却基底具有顶部表面和外直径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底部表...

一种系统包括具有多个关节及一或多个终端受动器以承载基板的机械臂。处理装置在机械臂的关节空间内确定用于完整移动的一或多个终端受动器的开始/结束点。处理装置在多个关节及一或多个终端受动器的关节空间中构建满足笛卡尔限制的可到达位置及在可到达位...

描述了高像素密度LED结构的制造方法。方法可包括形成底板基板及LED基板。可将底板基板与LED基板接合在一起，且接合后的基板可包含LED像素阵列。LED像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在LED像素中的每一者中的隔离子像素中的至少...

本文描述了一种腔室部件，所述腔室部件包括包含镍的金属层和在金属层之上的氧化镍阻挡层。氧化镍阻挡层可通过用包含氢氟酸和/或硝酸的氧化剂处理腔室部件来形成。

一种用于控制电子装置上的噪声的方法可包括以下步骤：确定与在第一配置中且包括在电子装置上的天线相关联的测量特性违反预定阈值。该方法也可包括识别第二配置中的干扰源，该干扰源可以是电子装置上的部件。干扰源可发射导致测量特性违反预定阈值的电磁(...

本文中公开了一种温度致动阀，所述温度致动阀包括固定构件和可动构件，其中固定构件被配置为接收可动构件。第一流动路径被限定在固定构件的外表面与壳体的内表面之间，第二流动路径由可动构件限定并限定在可动构件内。所述温度致动阀进一步包括至少一个温...

一种沉积材料的方法，所述方法包括：从第一旋转靶并用孔径板进行溅射，所述第一旋转靶具有第一磁体组件，所述第一磁体组件具有第一等离子体约束；以及同时地从第二旋转靶并用所述孔径板进行溅射，所述第二旋转靶具有第二磁体组件，所述第二磁体组件具有第...

提供了一种用于进行热蒸发的方法和装置。热蒸发器包括扁平坩埚设计，相对于传统设计，它提供了用于蒸发要沉积的材料的增加的表面面积。增加用于蒸发的表面面积意味着，可以产生更多的蒸发材料的蒸气，这会增加蒸发器主体内部的压力，导致蒸发材料流出喷嘴...