【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种等离子体处理腔室，包含：
2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一气体流包含包括蚀刻剂气体的处理气体混合物，并且所述第二气体流包含独立气体注入(IGI)混合物。
3.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述控制器进一步经配置为改变所述处理气体混合物的气体流注入角度或所述IGI混合物的气体流注入角度以分别增加或减小所述蚀刻剂气体的浓度。
4.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物及所述IGI混合物在没有气体流旋转的单相期间注入。
5.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物及所述IGI混合物在具有气体流旋转的多相期间注入以实现所述工件上的径向蚀刻速率均匀性。
6.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物包含CXFY、CXHYFZ、及CXHY中的一者。
7.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述IGI混合物包含稀释剂气体，包括He、Ne、Ar、Kr、Rn、N、或Xe。
8.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述
9.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中独立气体注入器的所述阵列定位在所述一个或多个侧壁中的一个或多个开口中。
10.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述一个或多个泵送口的位置从独立气体注入器的所述阵列的位置垂直地偏移。
11.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一气体流及所述第二气体流接通并且断开以控制气体流旋转。
12.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，进一步包含应用于所述第一气体流及第二气体流的至少一者的流动速率或应用于由所述一个或多个泵送口的至少一者导致的出口传导率的调变函数。
13.一种等离子体处理腔室，包含：
14.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中独立气体注入器的所述阵列包含多个气体注入器阵列，各自具有所述独立气体注入器中的多个气体注入器，其中相邻气体注入器的所选集合包含来自气体注入器阵列中的特定气体注入器阵列的所述独立气体注入器。
15.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中独立气体注入器的所述阵列包含多个气体注入器阵列，各自具有所述独立气体注入器中的多个气体注入器，其中相邻气体注入器的所选集合包含来自所述气体注入器阵列中的相邻气体注入器阵列的所述独立气体注入器。
16.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述气体流包含第一气体流，所述控制器进一步经配置为同时从所述独立气体注入器的剩余集合的至少一部分注入第二气体流，其中所述第二气体流用于i)稀释所述第一气体流以减小所述工件上具有较快蚀刻速率的一区域；或ii)用作额外蚀刻剂以增加在所述工件的具有所述较快蚀刻速率的所述区域中的所述蚀刻速率。
17.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中减小所述气体注入角度增加所述蚀刻速率均匀性。
18.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中独立气体注入器的所述阵列定位在所述一个或多个侧壁中的一个或多个开口中。
19.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述一个或多个泵送口的位置从独立气体注入器的所述阵列的位置垂直地偏移。
20.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述第一气体流及所述第二气体流接通并且断开以控制气体流旋转。
21.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，进一步包含应用于所述第一气体流及第二气体流的至少一者的流动速率或应用于由所述第一泵送口及第二泵送口的至少一者导致的出口传导率的调变函数。
22.一种控制等离子体处理腔室中的工件上的材料的蚀刻速率均匀性的方法，所述方法包含以下步骤：
23.如权利要求22所述的方法，进一步包含以下步骤：查询机器学习(ML)模型以控制所述第一气体流及所述第二气体流的注入。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理腔室，包含：
2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一气体流包含包括蚀刻剂气体的处理气体混合物，并且所述第二气体流包含独立气体注入(igi)混合物。
3.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述控制器进一步经配置为改变所述处理气体混合物的气体流注入角度或所述igi混合物的气体流注入角度以分别增加或减小所述蚀刻剂气体的浓度。
4.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物及所述igi混合物在没有气体流旋转的单相期间注入。
5.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物及所述igi混合物在具有气体流旋转的多相期间注入以实现所述工件上的径向蚀刻速率均匀性。
6.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述处理气体混合物包含cxfy、cxhyfz、及cxhy中的一者。
7.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述igi混合物包含稀释剂气体，包括he、ne、ar、kr、rn、n、或xe。
8.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述igi混合物包含清洁气体，包括ox、n2、sfx、或nfx。
9.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中独立气体注入器的所述阵列定位在所述一个或多个侧壁中的一个或多个开口中。
10.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述一个或多个泵送口的位置从独立气体注入器的所述阵列的位置垂直地偏移。
11.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一气体流及所述第二气体流接通并且断开以控制气体流旋转。
12.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，进一步包含应用于所述第一气体流及第二气体流的至少一者的流动速率或应用于由所述一个或多个泵送口的至少一者导致的出口传导率的调变函数。
13.一种等离子体处理腔室，包含：
14.如权利要求13所述的等离子体处理腔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水大亮，竹下健二，詹姆斯·D·卡达希，凌厉，渡边光，肯尼斯·S·柯林斯，迈克尔·R·赖斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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