【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式总体涉及清洁系统，且更具体而言，涉及紫外线及臭氧清洁系统。
技术介绍
1、在半导体制造工业中使用的基板常常被清洁以移除不想要的材料，诸如在处理期间于基板上产生的污染物或其他不想要的颗粒。基板可包括半导体晶片、腔室部件、光掩模或类似者。
2、污染物可通过以紫外线照射的臭氧水(ozonated water)洗涤(wash)基板而移除。这样的水可通过发射紫外线辐射的紫外线辐射源照射。然而，专利技术人已观察到某些紫外线臭氧水清洁设备及方法将基板暴露至发射的紫外线辐射，而本身在要清洁的污染物之外可不期望地造成移除或改变额外的材料。额外材料的移除或改变可对于基板引起缺陷。
3、相应地，专利技术人已提供改良的清洁装置及方法以用于清洁基板。
技术实现思路
1、本文提供用于清洁基板的装置及方法的实施方式。在某些实施方式中，一种用于清洁基板的装置包括：灯，所述灯配置成在照射区域中发射紫外线辐射；外壳，所述外壳容纳灯，所述外壳界定环绕所述灯的冷却腔室；水偏转器(water deflector)，在所述外壳下方间隔开来，所述水偏转器具有用于接收臭氧水的供应的水入口及用于将通过所述灯照射的臭氧水排放至所述水偏转器下方的基板处理区域中的水出口，且在所述水入口及所述水出口之间界定水流动路径，所述水流动路径在所述照射区域中延伸；上部反射器，在所述外壳的所述冷却腔室内沿着灯且在所述灯上方延伸；及下部反射器，沿着水偏转器且在所述水偏转器下方延伸，其中所述上部反射器及所述下部
2、在某些实施方式中，一种用于清洁基板的装置包括：灯，所述灯配置成在照射区域中发射紫外线辐射；外壳，所述外壳容纳所述灯，所述外壳界定环绕所述灯的冷却腔室；水偏转器，在所述外壳下方间隔开来，所述水偏转器具有用于接收臭氧水的供应的水入口及用于将通过所述灯照射的臭氧水排放至所述水偏转器下方的基板处理区域中的水出口，且在所述水入口及所述水出口之间界定水流动路径，所述水流动路径在所述照射区域中延伸；上部反射器，在所述外壳的所述冷却腔室内沿着灯且在所述灯上方延伸；下部反射器，沿着水偏转器且在所述水偏转器下方延伸，其中所述上部反射器及所述下部反射器配置成至少部分地界定所述照射区域，且将通过所述灯发射的紫外线辐射朝向所述水流动路径反射，且其中所述下部反射器配置成使所述基板与通过所述灯发射的紫外线辐射屏蔽；及基板支撑件，用于在所述基板处理区域中于所述下部反射器下方支撑所述基板，所述基板支撑件配置成旋转所述基板，其中所述清洁装置配置成在流动所照射的臭氧水至所述基板处理区域中的同时水平平移。
3、在某些实施方式中，一种用于清洁基板的方法包括：流动紫外线照射的臭氧水至所述基板上，同时使所述基板与紫外线辐射屏蔽。
4、以下说明本公开内容的其他及进一步实施方式。
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1.一种用于清洁基板的清洁装置，包含：
2.如权利要求1所述的清洁装置，进一步包含清洁腔室，所述清洁腔室包围内部空间，其中所述清洁装置被包围在所述内部空间中。
3.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述灯是低压汞蒸气灯，所述低压汞蒸气灯在30至150瓦特之间操作且具有在约254nm下的主要紫外线发射。
4.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述上部反射器及所述下部反射器中的至少一者所具有的长度等于或大于所述灯的长度。
5.如权利要求1或2所述的清洁装置，进一步包含基板支撑件，所述基板支撑件用于在所述基板处理区域中于所述水出口下方支撑所述基板，其中所述下部反射器设置于所述水出口及所述基板支撑件之间。
6.如权利要求5所述的清洁装置，其中所述基板支撑件配置成旋转所述基板。
7.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述外壳具有与所述冷却腔室流体连通的入口及出口，所述冷却腔室配置成在所述入口及所述出口之间且在所述灯之上路由冷却流体。
8.如权利要求7所述的清洁装置，其中所述冷却流体包含冷干空气。>
9.如权利要求7所述的清洁装置，其中所述外壳包括上部盖及密封至所述上部盖的下部盖，其中所述入口及所述出口形成于所述上部盖中。
10.如权利要求9所述的清洁装置，其中所述上部盖由PTFE形成，且所述下部盖由石英形成。
11.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中在所述水出口及所述外壳之间的水平间隔为0.5英寸至4英寸。
12.如权利要求11所述的清洁装置，其中所述水平间隔在1英寸及2英寸之间。
13.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述上部反射器及所述下部反射器由铝或铝合金组成。
14.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述水出口配置成相对于所述基板处理区域水平平移。
15.如权利要求1或2所述的清洁装置，进一步包含基板支撑件，所述基板支撑件用于在所述基板处理区域中于所述下部反射器下方支撑所述基板，所述基板支撑件配置成旋转所述基板，其中所述水偏转器配置成在流动紫外线照射的臭氧水至所述基板处理区域中的同时水平平移。
16.一种清洁基板的方法，所述方法包含以下步骤：
17.如权利要求16所述的方法，其中流动紫外线照射的臭氧水至所述基板上的步骤进一步包含以下步骤：从设置于所述基板上方的水出口流动所述紫外线照射的臭氧水，且进一步包含以下步骤：在流动所述紫外线照射的臭氧水至所述基板上的同时旋转所述基板。
18.如权利要求17所述的方法，其中流动紫外线照射的臭氧水至所述基板上的步骤进一步包含以下步骤：沿着经受紫外线辐射的路径传送臭氧水，其中所述路径延伸至所述水出口，且其中下部反射器设置于所述路径下方而在用以将紫外线辐射朝向沿着所述路径流动的所述臭氧水反射回去且使所述基板与所述紫外线辐射屏蔽的位置中。
19.如权利要求17所述的方法，进一步包含以下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于清洁基板的清洁装置，包含：
2.如权利要求1所述的清洁装置，进一步包含清洁腔室，所述清洁腔室包围内部空间，其中所述清洁装置被包围在所述内部空间中。
3.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述灯是低压汞蒸气灯，所述低压汞蒸气灯在30至150瓦特之间操作且具有在约254nm下的主要紫外线发射。
4.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述上部反射器及所述下部反射器中的至少一者所具有的长度等于或大于所述灯的长度。
5.如权利要求1或2所述的清洁装置，进一步包含基板支撑件，所述基板支撑件用于在所述基板处理区域中于所述水出口下方支撑所述基板，其中所述下部反射器设置于所述水出口及所述基板支撑件之间。
6.如权利要求5所述的清洁装置，其中所述基板支撑件配置成旋转所述基板。
7.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中所述外壳具有与所述冷却腔室流体连通的入口及出口，所述冷却腔室配置成在所述入口及所述出口之间且在所述灯之上路由冷却流体。
8.如权利要求7所述的清洁装置，其中所述冷却流体包含冷干空气。
9.如权利要求7所述的清洁装置，其中所述外壳包括上部盖及密封至所述上部盖的下部盖，其中所述入口及所述出口形成于所述上部盖中。
10.如权利要求9所述的清洁装置，其中所述上部盖由ptfe形成，且所述下部盖由石英形成。
11.如权利要求1或2所述的清洁装置，其中在所述水出...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴半秋，哈立德·马哈姆雷，小川洋辉，埃利亚胡·什洛莫·达甘，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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