【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体工艺及产品。更具体而言，本技术涉及产生半导体结构及形成的器件。
技术介绍
1、可通过在基板表面上产生复杂的图案化材料层的制造工艺制得由数百万微米大小的像素构成的发光二极管(light-emitting-diode；led)显示设备。在基板上产生图案化材料需要用于沉积及去除材料的受控方法。然而，由于新的器件设计，产生具有极精确尺寸的高质量的材料层可具有挑战性。
2、因此，需要能用于产生用于led显示设备的高质量材料及结构的改进的系统及方法。本技术满足这些及其他需要。
技术实现思路
1、本技术包括例示性半导体处理方法，其包括形成底板基板及led基板。将底板基板与led基板接合在一起，且接合后的基板包含led像素阵列。led像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在led像素中的每一者中的隔离子像素中的至少一者上形成量子点层。所述方法可进一步包括通过在有缺陷led像素中的无量子点层的子像素上形成替换量子点层而修复至少一个有缺陷led像素。方法还可包括在修复至少一个有缺陷led像素之后在led像素阵列上形成uv阻挡层。
2、在其他实施方式中，led子像素中的每一者可包括含镓及氮的发光二极管结构，该发光二极管结构可用以发射特征为小于或约400nm的波长的第一波长光。在其他实施方式中，量子点层可用以吸收自含镓及氮发光二极管结构发射的第一波长光，并发射特征为比第一波长光波长更长的第二波长光。在其他实施方式中，替换量子点层可用以发射与在有缺陷led像素中的非
3、本技术还包括另外的半导体处理方法，其可包括形成底板基板及led基板。可将底板基板与led基板接合在一起，且接合后的基板包含led像素阵列。led像素中的每一者可包括至少四个隔离的子像素。可在led像素中的每一者中的隔离子像素中的至少三者上形成量子点层。量子点层中的每一者可用以发射与led像素中的其他量子点层波长不同的可见光。所述方法可进一步包括在led像素阵列上形成uv阻挡层。在实施方式中，在形成uv阻挡层之后，led像素的至少一部分包括至少一个无量子点层的子像素。
4、在其他实施方式中，在将led基板与底板基板接合在一起之前，可在led基板中形成像素隔离结构。在其他实施方式中，在将led基板与底板基板接合在一起之后，可在接合后的基板中形成像素隔离结构。在其他实施方式中，在将led基板与底板基板接合在一起之前，在led基板中形成led结构。在其他实施方式中，在将led基板与底板基板接合在一起之后，在接合后的基板中形成led结构。在更多实施方式中，将额外的底板基板在led基板的暴露表面上接合至接合后的基板。
5、本技术进一步包括半导体结构，其可包括底板层、与底板层接触的led像素阵列以及led像素阵列上的uv阻挡层。led像素中的每一者可包括至少四个隔离的子像素。隔离子像素中的至少三者可包括量子点层，并且led像素中的至少一部分可包括无量子点层的子像素。
6、在其他实施方式中，底板层可包括含硅层，其中cmos装置与led像素中的每一者中的隔离子像素中的每一者电接触。在其他实施方式中，半导体结构在led像素中的每一者中的子像素中的每一者之间包含像素隔离结构。像素隔离结构防止自子像素中的一者发射的光被相邻的子像素吸收。在更多实施方式中，子像素中的每一者可包括含镓及氮的发光二极管结构。在其他实施方式中，led像素中的每一者中的子像素中的每一者进一步包括与uv阻挡层接触的微透镜。在更多实施方式中，可在虚拟现实耳机或增强现实眼镜的led显示器中并入半导体结构。
7、相比于常规的半导体处理方法及结构，此技术可提供许多益处。举例而言，相比于常规的处理方法，所述处理方法的实施方式可产生具有更少有缺陷像素的高像素密度显示器。在其他实施方式中，处理方法可通过将高密度led基板与底板基板(包含亚微米大小的控制电路系统，可单独寻址显示器中的每一像素中的子像素)接合在一起产生具有大于或约1000个像素每英寸的像素密度的显示器。在其他实施方式中，高像素密度、低像素缺陷结构在近距离观看的显示器中，例如在虚拟现实耳机及增强现实眼镜中产生改进的观看体验。结合以下描述和所附图示更详细地描述这些及其他实施方式以及其优点和特征中的许多者。
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1.一种半导体处理方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述LED子像素中的每一者包括用以发射特征为小于或约400nm的波长的第一波长光的含镓及氮的发光二极管结构。
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述量子点层用以吸收自所述含镓及氮的发光二极管结构发射的所述第一波长光，并发射特征为波长长于所述第一波长光的第二波长光。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述替换量子点层用以发射与在所述有缺陷LED像素中的非运行子像素上形成的量子点层波长相同的光。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述LED像素阵列上形成所述UV阻挡层之后，未修复的LED像素包含无量子点层的子像素。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述LED像素阵列具有每英寸大于或约1000个像素的像素密度。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述隔离子像素中的每一者的最长尺寸为小于或约10μm。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述方法进一步包括以下步骤：在所述LE
9.一种半导体处理方法，包含以下步骤：
10.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中在将所述LED基板接合至所述底板基板之前，像素隔离结构形成于所述LED基板中。
11.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中在将所述LED基板接合至所述底板基板之后，像素隔离结构形成于所述接合后基板中。
12.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中在将所述LED基板接合至所述底板基板之前，LED结构形成于所述LED基板中。
13.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中在将所述LED基板接合至所述底板基板之后，LED结构形成于所述接合后基板中。
14.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中将另一底板基板在所述LED基板的暴露表面上接合至所述接合后基板。
15.一种半导体结构，包含：
16.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述底板层包括含硅层，其中CMOS装置与所述LED像素中的每一者中的所述隔离子像素中的每一者电接触。
17.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述结构在所述LED像素中的每一者中的所述子像素中的每一者之间进一步包含像素隔离结构，其中所述像素隔离结构防止所述子像素中的一者发射的光被相邻的子像素吸收。
18.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述子像素中的每一者包含含镓及氮的发光二极管结构。
19.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述LED像素中的每一者中的所述子像素中的至少一者进一步包括与所述UV阻挡层接触的微透镜。
20.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述半导体结构被并入到虚拟现实耳机或增强现实眼镜的LED显示器中。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述led子像素中的每一者包括用以发射特征为小于或约400nm的波长的第一波长光的含镓及氮的发光二极管结构。
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述量子点层用以吸收自所述含镓及氮的发光二极管结构发射的所述第一波长光，并发射特征为波长长于所述第一波长光的第二波长光。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述替换量子点层用以发射与在所述有缺陷led像素中的非运行子像素上形成的量子点层波长相同的光。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述led像素阵列上形成所述uv阻挡层之后，未修复的led像素包含无量子点层的子像素。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述led像素阵列具有每英寸大于或约1000个像素的像素密度。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述隔离子像素中的每一者的最长尺寸为小于或约10μm。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述方法进一步包括以下步骤：在所述led像素中的每一者中的所述子像素中的至少一者上形成微透镜。
9.一种半导体处理方法，包含以下步骤：
10.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中在将所述led基板接合至所述底板基板之前，像素隔离结构形成于所述led基板中。
11.如权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐立松，朱明伟，郭炳成，房贤圣，赵亮，浩·T·黄，斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘，奈格·帕蒂班德拉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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