本文提供的实施例大体包括用于减缓失真电流的装置、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括耦合至输入节点的电压源，输入节点耦合至设置在处理腔室内的电极，其中电压源被配置为在输入节点处产生脉冲电压信号；具有输出的信号产生器，其中RF...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括压板，所述压板由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，所述轴沿着压板的与压板的第一表面相对的第二表面与压板耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主...

叙述了半导体装置及其制造方法。所述方法包括在基板上形成底部介电隔离(BDI)层及在源极/漏极沟槽中沉积模板材料。此模板材料被结晶。接着进行源极与漏极区的外延成长，其中成长有利地发生在源极与漏极区的底部与侧壁上。

本文所述的实施方式提供了获得光学器件的全场域光场以确定光学器件的多个计量度量的计量工具和方法。计量工具用于将光束分成第一光路和第二光路。第一光路和第二光路被组合成组合光束并被递送至检测器。该检测器测量组合光束的强度。将第一等式和第二等式...

示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区...

示例性的蚀刻方法可以包括使含氟前驱物和辅助气体流入半导体处理腔室的处理区域中。辅助气体可以是或包括氧气或氮气。含氟前驱物与辅助气体的流速比可大于或约为1:1。该方法可包括使基板与含氟前驱物和辅助气体接触。基板可以包括经暴露金属。基板可限...

提供一种用于用激光对透明材料进行刻划的方法。所述方法包括：提供所述激光与所述透明材料之间的相对移动；以在kHz范围内的第一脉冲重复率对所述激光进行脉冲以建立所述透明材料的刻划速度；和用具有在MHz范围内的第二脉冲重复率的一系列第二激光脉...

一种方法，包括以下步骤：接收与基板处理配方的第一配方操作的第一迭代相关联的第一传感器数据。所述方法进一步包括以下步骤：确定扰动数据，所述扰动数据是所述第一传感器数据与所述第一配方操作的第一设定点数据之间的差异。所述方法进一步包括以下步骤...

示例性半导体处理系统可包括电感耦合等离子体源。所述系统可包括RF功率源，所述RF功率源与电感耦合等离子体源电耦合。所述系统可包括第一气体源，所述第一气体源与电感耦合等离子体源流体耦合。所述系统可包括第二气体源。所述系统可包括双通道喷头组...

本发明描述具有金属硅化物并因此得到低电阻触点的存储器器件。本发明描述了形成存储器器件的方法。方法包括在存储器堆叠上的半导体材料层上形成金属硅化物层，所述半导体材料层具有电容器侧及位线侧。随后在金属硅化物层的电容器侧上形成电容器，并在金属...

提供了用于清洁进程列管理的方法和系统。从客户端装置接收与制造系统处的基板工艺相关联的清洁操作序列的指示。也接收在制造系统的工艺腔室处的清洁处理期间触发清洁操作序列的启动的一个或多个清洁标准的指示。产生对应于清洁操作序列的一组指令。回应于...

本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，...

本文所提供的实施例总体上包括用于产生波形以对处理腔室中的基板进行等离子体处理的装置、等离子体处理系统和方法。本公开内容的实施例包括用于产生伪阶梯波形的装置和方法，包括：在产生波形的第一阶段期间，将第一电压供应器耦合至输出节点；在产生所述...

本文公开的实施方式包括传感器装置及使用传感器装置的方法。在一个实施方式中，传感器装置包含基板、从该基板向上延伸的支撑件、及机械地耦接至该支撑件的谐振器。在一个实施方式中，传感器装置进一步包含天线，该天线被配置为与谐振器电磁耦合，其中该天...

本文描述了静电终端受动器，及制造该静电终端受动器之方法的实施方式。在一个实施方式中，静电终端受动器包含陶瓷底座、耦接至陶瓷底座的第一电极层，及耦接至陶瓷底座的第二电极层。静电终端受动器被构造为响应于施加至第一电极的电压在基板上产生静电力...

本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；...

技术涉及用于半导体制造的生态效益监测和探索平台。一种方法包括以下步骤：由处理设备，接收表明对基板制造系统的更新的第一数据，所述基板制造系统具有第一制造装备配置并且对一个或多个工艺过程进行操作。所述方法进一步包括以下步骤：由所述处理设备，...

示例性基板处理系统可包括限定移送区域的腔室主体。系统可包括位于腔室主体上的盖板。盖板可限定多个孔。系统可包括多个盖堆叠。系统可包括多个基板支撑件。系统可包括多个外围阀。每个外围阀可设置在处理区域中的一者中。每个外围阀可包括与腔室主体耦接...

本公开内容涉及提供具有蒸发器及储存器(reservoir)的前驱物输送系统。该储存器包括与该蒸发器流体连通的上游端。储存器阀与该储存器的下游端流体连通，且最终阀设置于该储存器阀的下游。缓冲区界定在该储存器阀及该最终阀之间。第一气体入口耦...

本文描述了用于处理基板的方法和装置。所描述的方法和装置使得能够在处理腔室内与多个基板升降销同时或分开地升高和降低遮蔽环。遮蔽环使用遮蔽环升降组件来升高和降低，并且可以在自由基处理操作期间升高到基板上方的预定高度。遮蔽环升降组件也可以升高...