本文提供了处理基板的实施方式。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：经由第一外延生长工艺将n型掺杂硅材料沉积至基板上以形成n型掺杂层，同时调整掺杂剂前驱物与硅前驱物的比率，以使得n型掺杂层的掺杂剂浓度从n型掺杂层的底部至n型掺杂层的...

本公开内容的实施例提供了一种多盘垫调节器和在化学机械抛光(CMP)工艺期间使用多盘垫调节器的方法。多盘垫调节器具有多个调节头，所述多个调节头具有固定在其上的调节盘。多盘垫调节器可以包括调节臂和附接到调节臂的多个调节头。多个调节头中的每个...

示例性蚀刻方法可包括将含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括过渡金属氮化物的暴露区域和金属的暴露区域。所述接触可形成过渡金属氮化物的氧化部分和金属的氧化部分。方法可包括形成...

提供了用于处理基板的方法及设备。该方法包括：在物理气相沉积(PVD)腔室中从靶材溅射材料以在包含基板特征的层上形成材料层，该特征具有由第一侧壁及第二侧壁限定的开口宽度，该材料层在该层的顶表面具有比在该特征之内的第一侧壁或第二侧壁上的厚度...

描述了一种物理气相沉积处理腔室。所述处理腔室包括：靶背板，所述靶背板在处理腔室的顶部部分中；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处；和屏蔽物。所述基板支撑件具有支撑表面，所...

一种化学机械抛光设备包括：平台，用以支撑抛光垫；承载头，用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面；电机，用以在平台与承载头之间生成相对运动以便抛光基板上的上覆层；原位振动监测系统，包括用于发射光束的光源和接收来自抛光垫的反射表面的光束的反射的...

提供了一种用于形成半导体器件的方法和设备。所述方法包括热处理在其上形成有一个或多个硅纳米片的基板。热处理所述基板包括将所述基板定位在第一处理腔室的处理空间中，所述基板具有在其上形成的一个或多个硅纳米片。热处理所述基板进一步包括将所述基板...

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所...

在本文中提供了用于与快速热处理(RTP)系统一起使用的气体分配模块及其使用方法的实施方式。在一些实施方式中，用于与RTP腔室一起使用的气体分配模块包含：流体耦接至混合器的第一载气管线和第一液体管线，所述混合器具有一个或多个控制阀，且被配...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多...

本文提供了用于高压等离子体处理的设备的实施例。在一些实施例中，该设备包括隔离板和接地支架，用于等离子体处理腔室中的基板支撑件(如静电吸盘)。在一些实施例中，一种用于高压等离子体处理的设备包括：静电吸盘；与静电吸盘间隔开的接地回程支架；及...

描述一种半导体处理方法，其包括将基板提供至反应腔室，其中基板包括具有顶表面和底表面的基板沟槽。包括含碳气体和含氮气体的沉积气体流至反应腔室的等离子体激发区域中。由沉积气体产生具有小于或约为4eV的电子温度的沉积等离子体。方法进一步包括在...

浓度传感器组件可包含具有化合物的汽化腔室。浓度传感器组件可包括耦接至汽化腔室的第一流路。第一流路可将第一气体引导至汽化腔室。第二流路可将第二气体引导出汽化腔室。第二气体可包含化合物和第一气体。沿第一流路设置第一传感器。第一传感器测量第一...

在半导体制造工艺期间以平坦表面开始的晶片可能会随着层和特征被添加到下层基板上而变得翘曲或弓曲。这种翘曲可在制造工艺之间通过邻近位移传感器旋转晶片来检测。位移传感器可产生相对于基线测量的位移数据，以识别晶片上向上或向下弓曲的区域。随后可将...

一种用于处理半导体基板的半导体处理腔室可包括用于支撑基板的基座，其具有加热器区域和被配置为将射频(RF)信号输送至等离子体的金属丝网。腔室也可包括将电流输送至加热器区域的加热器区域控制件，以及在加热器区域控制件与加热器区域之间的滤波器电...

本文中提供了处理套件的实施例。在一些实施例中，一种处理套件，包括：沉积环，被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包含：环形带，具有上表面和下表面，下表面包括在径向内部部分与径向外部部分之间的台阶，台阶从径向内部部分向下延伸至径向外部部分；内...

本文中的实施方式大体关于抛光垫及形成抛光垫的方法。一种形成抛光垫的方法包括(a)根据预定的液滴分配图案，将预聚物组成物的液滴及牺牲材料组成物的液滴分配至先前已形成的打印层的表面上。所述方法包括(b)至少部分地固化预聚物组成物的已分配液滴...

本文公开的实施方式包括诊断基板及用诊断基板提取等离子体参数的方法。在一实施方式中，诊断基板包含基板及基板上的谐振器阵列。在一实施方式中，谐振器阵列至少包含具有第一结构的第一谐振器及具有第二结构的第二谐振器。在一实施方式中，第一结构不同于...

本公开内容一般地涉及用于在半导体器件上形成外延层的群集工具和方法。在一个实施方式中，群集工具包括传送腔室、耦接到传送腔室的预清洁腔室、耦接到传送腔室的等离子体清洁腔室、耦接到传送腔室的沉积腔室、耦接到传送腔室的蚀刻腔室及耦接到传送腔室的...

本申请涉及具有微传感器的晶片处理工具。实施例包括用于检测由晶片处理工具执行的材料沉积和材料移除的装置和方法。在实施例中，安装于晶片处理工具的处理腔室上的一或多个微传感器能够在真空条件下操作和/或可在无等离子体晶片制造处理期间实时测量材料...