本文提供了用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件包括：支撑板，所述支撑板具有用于支撑基板的一个或多个支撑特征；基座，所述基座包含设置在支撑板上的板，其中基座包括一个或多个开...

根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于制造复合膜(104)的设备(10、20)。所述复合膜(104)包括第一膜(101)、至少一个沉积层(101a)和具有层压层的至少一个第二膜(102、103)。所述设备(10、20)包括：真空腔室(...

描述了过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。本文也描述了用于将过渡金属氧化物膜转化为过渡金属二硫族化物膜的方法。基板被暴露于前驱物及硫族化物反应物以形成过渡金属二硫族化物膜。这些暴露可以是顺序的或同时的。

本公开内容的实施方式大体涉及用于在基板的硅表面上形成或以其他方式产生金属硅化物的方法。示例性的金属硅化物可为或包括硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼、或上述各者的合金。在一或多个实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工...

本文公开了一种在光刻胶中形成金属氧化物以改良轮廓控制的方法。该方法包括通过在接近膜堆叠物的处理环境中对含甲基材料加压，而在光刻胶层中渗透金属氧化物。膜堆叠物包括光刻胶层，光刻胶层设置在底层的顶部并与底层接触。底层设置在基板的顶部。该方法...

用于检测等离子体处理腔室的功率输送系统中的电弧的方法利用可见电弧检测传感器来帮助定位电弧并关闭与电弧位置相关联的功率源。在一些实施例中，所述方法包括：接收来自在可见光谱中操作的电弧检测传感器的电弧指示，其中所述至少一个电弧检测传感器定位...

一种用于连接多个小芯片的封装级网络(NoPK)可包括：多个接口网桥，经配置以将由多个小芯片使用的多个协议转换为公共协议；路由网络，经配置以使用公共协议在多个接口网桥之间路由流量；及控制器，经配置以基于连接至NoPK的多个小芯片的类型将多...

冷却半导体部件基板的示例性方法可包括：在腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度。半导体部件基板可为或包括铝。方法可包括：将气体输送到腔室中。气体可以由低于或约100℃的温度表征。方法可包括：在小于或约1分钟的第一时间段中将半...

本文的实施方式大体上关于电子器件制造，且更具体地说，关于用于在半导体器件制造方案中形成实质上无孔隙与无缝式钨特征的系统及方法。在一个实施方式中，基板处理系统的特征在于处理腔室及流体耦合至此处理腔室的气体输送系统。此气体输送系统包括用于差...

本文提供的实施例包括用于在处理腔室中等离子体处理基板的的设备及方法。在一些实施例中，设备及方法的方面涉及减少在基板表面上形成的特征中的缺陷率、改进等离子体蚀刻速率、以及增加蚀刻材料对掩模和/或蚀刻材料对停止层的选择性。在一些实施例中，设...

一种涂覆粒子的反应器，包括：用于保持待涂覆粒子的床的固定的真空腔室，固定的真空腔室具有形成半圆柱体的下部和上部；位于腔室的上部中的真空端口；叶片组件；用于使叶片组件的驱动轴旋转的电机；用于输送第一流体的化学物质输送系统；以及第一气体注入...

本发明涉及集成外延与预清洁系统。本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体...

本文提供的实施例大体包括等离子体处理系统，其被配置为通过操纵原位等离子体的一个或多个特性来优先清洁基板支撑组件的所需表面及相关方法。在一个实施例中，等离子体处理方法包括在由腔室盖及基板支撑组件界定的处理区域中生成等离子体，将边缘环及基板...

半导体处理方法可包括在处理腔室内执行第一等离子体处置，以移除第一含碳材料。所述方法可包括在处理腔室内执行第二等离子体处置，以移除第一含硅材料。所述方法可包括在处理腔室的表面上沉积第二含硅材料。所述方法可包括沉积覆盖第二含硅材料的第二含碳...

本技术公开了一种用于化学机械抛光的载体头和抛光系统。一种用于化学机械抛光的载体头包括壳体、基板安装表面和保持环组件。该保持环组件包括包围该基板安装表面并具有用以将该基板保持在该基板安装表面下方的内表面的内环、用以调整在该内环上的竖直载荷...

半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括在基板上沉积含硅材料。在第一时间段之后，所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法...

公开了一种展示较慢生长速率的沉积方法。本公开的一些实施方式提供了利用含卤化物生长抑制剂作为与金属卤化物前驱物和反应物的共反应物的CVD方法。本公开的一些实施方式涉及CVD和ALD方法，该CVD和ALD方法包括将基板表面暴露于包括含卤化物...

提供了用于检测基板工艺的终点的方法和系统。机器学习模型的集合被训练为基于针对基板收集的光谱数据来提供与所述基板的特定类型的计量测量相关联的计量测量值。鉴于与所述特定类型的计量测量相关联的性能评级，选择相应的机器学习模型，以应用于针对未来...

本文提供的实施例总体上包括装置，例如，等离子体处理系统和用于处理腔室中的基板的等离子体处理的方法。在一些实施例中，装置和方法的方面涉及改进跨基板表面的处理均匀性、降低基板表面上的缺陷率、或这两者。在一些实施例中，装置和方法提供了对在基板...

本文提供的实施例通常包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置(例如，等离子体处理系统)和方法。一些实施例针对射频(RF)产生系统。RF产生系统通常包括RF发生器和真空断路器，所述真空断路器被配置为基于与等离子体腔室的操作相关联的...