【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体涉及基板处理装备，并且更具体地涉及微波脱气腔室。
技术介绍
1、在半导体基板或晶片的处理中，在所述半导体基板或晶片上形成集成电路结构时，基板通常在工艺之间被脱气以在例如在基板上执行沉积或其他工艺之前，从基板移除吸附的气体、水分等。如果吸附的气态杂质在后续处理之前未被移除，则这些气态杂质可能在工艺期间不期望地放气，从而导致污染、质量降低等等。传统的脱气腔室使用诸如热板或电阻加热器之类的加热元件。微波加热源可用于更加快速地将基板脱气。然而，当与微波热源一起使用时，传统基板支撑件可能无法提供足够的温度均匀性。
2、因此，专利技术人已提供用于在微波脱气腔室中使用的改良基板支撑件。
技术实现思路
1、本文提供了用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件包括：支撑板，所述支撑板具有用于支撑基板的一个或多个支撑特征；基座，所述基座包含设置在支撑板上的板，其中基座包括一个或多个开口，其中一个或多个支撑特征延伸穿过一个或多个开口中的对应开口；以及金属箔，所述金属箔设置在基座的面向支撑板的一侧的下方。
2、在一些实施例中，一种用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件包括：支撑板，所述支撑板具有一个或多个支撑特征，所述一个或多个支撑特征固定至支撑板以用于支撑基板；基座，所述基座包含平板，所述平板是圆形的并且设置在支撑板上，其中基座包括与一个或多个支撑特征相对应的一个或多个开口，并且其中基座由具有约190瓦每
3、在一些实施例中，一种用于处理基板的微波脱气腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；由第一材料制成的支撑板，所述支撑板设置在内部容积中并且具有用于支撑基板的一个或多个支撑特征；基座，所述基座包括设置在支撑板上的由第二材料制成的板，其中基座包括与一个或多个支撑特征相对应的一个或多个开口；微波源，所述微波源耦接至腔室主体并被配置成供应微波辐射以加热基板；以及金属箔，所述金属箔设置在基座与微波源之间。
4、在下文中描述本公开的其他和进一步实施例。
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1.一种用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件，包含：
2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中存在以下各项中的至少一者：
3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板由比所述基座对MW辐射更透明的材料制成。
4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述基座由具有约190瓦每米开尔文(W/mK)或更大的热导率的材料制成。
5.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板和所述基座包含单个一体式主体。
6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板和所述基座两者包括一个或多个升降开口，所述一个或多个升降开口被配置成容纳穿过其中的一个或多个升降器。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述金属箔耦接至所述基座或耦接至所述支撑板。
8.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述金属箔耦接至所述基座的中心部分或所述支撑板的中心部分，并且具有比所述基座的外径更小的外径。
9.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，进一步包括升降机构，所述升降机构具有延伸穿过所述基座和所述
10.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述一个或多个支撑特征固定至所述支撑板。
11.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述支撑板由聚合物材料制成，所述聚合物材料基本上由聚醚醚酮组成。
12.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述一个或多个支撑特征在所述基座上方延伸以将所述基板支撑在所述基座上方约1mm至约4mm处。
13.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述支撑板和所述基座包含由相同材料制成的一体式主体。
14.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述金属箔在所述基座的面向所述支撑板的一侧上或在所述支撑板的与所述基座相对的一侧上耦接至所述基座。
15.一种用于处理基板的微波脱气腔室，包含：
16.如权利要求15所述的微波脱气腔室，进一步包含温度传感器，所述温度传感器耦接至所述腔室主体并且被配置成获取所述基板的温度读数。
17.如权利要求15所述的微波脱气腔室，进一步包含泵和网状物，所述泵经由泵入口耦接至所述腔室主体，所述网状物在所述泵入口处耦接至所述腔室主体。
18.如权利要求15所述的微波脱气腔室，其中所述微波源被配置成以约5千兆赫至约7千兆赫的频率提供微波辐射。
19.如权利要求15所述的微波脱气腔室，其中所述一个或多个支撑特征包括一个或多个销，所述一个或多个销从所述支撑板延伸并且穿过所述基座中的一个或多个开口。
20.如权利要求15所述的微波脱气腔室，其中所述第一材料与所述第二材料相同。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在微波脱气腔室中使用的基板支撑件，包含：
2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中存在以下各项中的至少一者：
3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板由比所述基座对mw辐射更透明的材料制成。
4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述基座由具有约190瓦每米开尔文(w/mk)或更大的热导率的材料制成。
5.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板和所述基座包含单个一体式主体。
6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述支撑板和所述基座两者包括一个或多个升降开口，所述一个或多个升降开口被配置成容纳穿过其中的一个或多个升降器。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述金属箔耦接至所述基座或耦接至所述支撑板。
8.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述金属箔耦接至所述基座的中心部分或所述支撑板的中心部分，并且具有比所述基座的外径更小的外径。
9.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，进一步包括升降机构，所述升降机构具有延伸穿过所述基座和所述支撑板的对应升降开口的一个或多个升降器，其中所述升降机构被配置成相对于所述基座选择性地升高或降低所述基板。
10.如权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述一个或多个支撑特征固定至所述支撑板。
11.如权利要求1至6中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高德丰，P·阿加瓦尔，A·朱普迪，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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