【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实例一般涉及用于增强光刻胶轮廓控制的方法。具体而言，本公开内容的实例提供了在光刻胶中形成金属氧化物以改良轮廓控制的方法。
技术介绍
1、集成电路已发展成为可在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器及电阻器)的复杂装置。光刻术可用于在芯片上形成部件。一般，光刻术工艺涉及在基板上形成光刻胶层。光刻胶层可通过例如旋涂形成。光刻胶层可包括抗蚀剂树脂及光酸产生剂(photoacid generator)。光酸产生剂在随后的暴露阶段暴露于电磁辐射时，改变了光刻胶在显影工艺中的可溶性。电磁辐射可具有任何合适的波长，如极紫外区的波长，且可来自任何合适的源，例如193nm arf激光器、电子束、离子束或其他源。随后可在暴露前烘焙工艺中移除过量的溶剂。
2、在暴露阶段，可使用光掩模或主光罩(reticle)将设置于基板上的光刻胶层的某些区域选择性暴露于电磁辐射下。其他暴露方法可为无掩模暴露方法。暴露到光会分解光酸产生剂，这产生酸并在抗蚀剂树脂中产生潜在的酸图像。暴露后，可在暴露后烘烤工艺中加热基板。在暴露后烘烤工艺期间，由光酸产生剂产生的酸与光刻胶层中的抗蚀剂树脂反应，在随后的显影工艺期间改变光刻胶层的抗蚀剂的可溶性。
3、在暴露后烘烤后，显影及冲洗基板及光刻胶层。随后，在基板上形成图案化的光刻胶层。在显影及冲洗工艺之后，在图案化的光刻胶层内限定开口，暴露下方的靶材料用于蚀刻，以将特征转移到靶材料上。诸如平版印刷术暴露工艺的不精确控制或低分辨率，或图案化层的弹性等因素可能导致图案化光刻胶层的临界尺寸不良
4、因此，需要改进的图案化光刻胶层。
技术实现思路
1、本公开内容的实例涉及在光刻胶中形成金属氧化物以改良轮廓控制的方法。在一个实例中，公开了一种渗透光刻胶层的方法。该方法包括通过在接近膜堆叠物的处理环境中对含甲基材料加压，在光刻胶层中形成金属氧化物。膜堆叠物包括设置在底层顶部并与底层接触的光刻胶层。底层设置在基板的顶部。该方法进一步包括蚀刻包括注入有金属氧化物的光刻胶层的膜堆叠物。
2、在另一个实例中，渗透光刻胶层的方法包括在接近膜堆叠物的处理环境中加压含甲基材料。膜堆叠物包括设置在底层顶部并与底层接触的光刻胶层。底层设置在基板的顶部。该方法进一步包括在光刻胶层中将含甲基材料加热至预定温度，并将含甲基材料转化为金属氧化物。该方法包括蚀刻包括注入有金属氧化物的光刻胶层的膜堆叠物。
3、在另一个实例中，提供了半导体处理系统，包括半导体处理腔室。非暂时性计算机可读介质储存指令，当由处理器执行时，这些指令导致在半导体处理腔室中执行一方法。该方法包括通过在接近膜堆叠物的处理环境中对含甲基材料加压，在光刻胶层中形成金属氧化物。膜堆叠物包括设置在底层顶部并与底层接触的光刻胶层。底层设置在基板的顶部。该方法包括蚀刻包括注入有金属氧化物的光刻胶层的膜堆叠物。
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1.一种渗透光刻胶层的方法，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述含甲基材料在整个所述光刻胶层的厚度上被吸收，且所述金属氧化物是氧化铝。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
5.如权利要求4所述的方法，其中所述含甲基材料经受约0摄氏度至约150摄氏度的温度约1秒与约45秒之间。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
8.如权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的方法，其中用含氟气体或含碳氟气体蚀刻所述膜堆叠物。
11.一种渗透光刻胶层的方法，所述方法包括以下步骤：
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：
13.如权利要求12所述的方法，其中所述含甲基材料经受约0摄氏度至约150摄氏度的温度约1秒与约45
14.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：
15.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：
17.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
18.一种半导体处理系统，包括：
19.如权利要求18所述的方法，进一步包括：
20.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种渗透光刻胶层的方法，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述含甲基材料在整个所述光刻胶层的厚度上被吸收，且所述金属氧化物是氧化铝。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
5.如权利要求4所述的方法，其中所述含甲基材料经受约0摄氏度至约150摄氏度的温度约1秒与约45秒之间。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
8.如权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的方法，其中用含...
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