一种基板支撑组件包括被构造为在处理腔室中支撑基板的金属基质复合材料(MMC)基座主体。MMC基座主体形成被构造为接收传热流体的一或更多个通道。传热流体可操作为在处理腔室的闲置状态期间加热基板。传热流体可操作为在处理腔室的活动状态期间冷却...

示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面的外部区域内的多个突起的密度可以大于基板支撑表面的内部区域中的多个突起的密度。基板支撑组件可以包括与静电吸盘主体...

在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。

本文公开与一种用于电子设备处理系统的传输腔室相关的系统和方法。该传输腔室包括磁浮平台，该磁浮平台具有：磁浮轨道，沿着该传输腔室的长度设置，并被配置为在该轨道上方产生磁场。该传输腔室也包括：磁浮轨道，沿着该传输腔室的宽度设置，使得这个横向...

本发明涉及一种基板支撑组件包括轴杆主体、附装至轴杆主体的上部的板、和附装至轴杆主体的下部的插塞或帽盖。轴杆主体、板、和插塞或帽盖限定内部轴杆区域，该内部轴杆区域具有隔离环境。内部轴杆区域为真空环境或包括惰性气体。

一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理...

本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器...

本公开案的实施方式大体上关于柔性基板制造。特定言之，本文描述的实施方式关于可用于提高锂离子电池寿命的柔性基板制造方法。在一或多个实施方式中，一种制造合金阳极的方法包括使用平面流动熔融旋转工艺形成合金阳极，此平面流动熔融旋转工艺包括在旋转...

半导体处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含碳材料的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内容纳的基板的背侧上沉积含碳材料。所述基板的前侧可维持基本上不具有含碳材料。所述方法可包括在基板的前侧上执行蚀刻工艺。所述方...

本文提供一种用于处理基板的方法和装置。例如，用于处理基板的方法包括：向靶施加DC靶电压，所述靶设置在等离子体处理腔室的处理容积内；以默认速度旋转设置在所述靶上方的磁体，以朝向设置在所述处理容积内的基板支撑件引导来自所述靶的溅射材料；测量...

本公开内容的实施方式涉及包括基板及覆盖基板的至少一部分的无定形氧化物膜的物品及晶体管结构及所述物品及晶体管结构的制备及使用方法，其中无定形氧化物膜包括第一氧化物及第二氧化物。第一氧化物可以包括氧化锆(ZrO<subgt;2<...

一种用于电子装置制造系统的基板处理系统可包括形成内部容积的工厂接口，及设置在工厂接口中的分隔物。所述分隔物可将内部容积分成形成第二内部容积的第一工厂接口腔室及形成第三内部容积的第二工厂接口腔室。所述分隔物可被配置为在第一工厂接口腔室中提...

描述了用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法。掺杂阻挡层在小于约的厚度下提供改善的粘附性。在一些实施方式中，本文公开的掺杂阻挡层提供改进的阻挡特性，包括更低的氮含量、更高的钌含量、更好的覆盖性、更薄的层或更低的线电阻。

本文描述了一种用于在基板上形成超晶格结构的方法及装置

本公开内容的实施方式大体涉及形成在横跨基板的一或更多个目镜区域处具有目标厚度分布的基板的方法

描述了一种用于传输柔性基板的辊

在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法

使用基于图像的原位处理监测技术监测蚀刻或沉积处理的方法和系统包括照射布置在处理腔室中的样品上的测量区域

描述了形成存储器装置的方法

本公开内容涉及用于基板处理腔室的清洁组件