【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体上涉及用于处理基板的方法和装置，并且更具体地，本公开的实施例涉及被配置为基于dc电压读数来操纵磁体旋转速度的逻辑反馈系统。
技术介绍
1、传统的等离子体处理(物理气相沉积)腔室使用一个或多个磁体来促进朝向基板引导溅射材料等离子体。例如，磁控管组件可定位在设置在处理腔室的处理容积内的靶上方。磁控管可包括多个磁体，所述多个磁体被配置为在处理腔室内靶正面附近产生磁场以产生等离子体，因此显著离子通量撞击靶，从而导致靶材料朝向基板溅射发射。在常规溅射期间，可以默认速度旋转多个磁体，并且可向靶施加dc电压以促进溅射发射。
2、然而，高dc电压有时可触发处理腔室故障，这进而可增加处理腔室停机时间。此外，高dc电压可导致靶弯曲问题、在整个靶寿命期间不可持续的低处理吞吐量、在处理腔室中不稳定的等离子体可持续性、在整个靶寿命期间不平衡的靶侵蚀分布，并且可影响膜的沉积率、膜的沉积分布(例如，跨基板的不一致厚度)等。
技术实现思路
1、本文提供一种用于处理基板的方法和装置。在一些实施...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述默认速度基于待等离子体处理的基板的半径。
3.如权利要求1所述的方法，其中以小于所述默认速度的所述速度旋转所述磁体基于针对待等离子体处理的基板的半径的停留时间，并且其中所述停留时间为沿着所述磁体的路径每英寸花费的持续时间。
4.如权利要求1所述的方法，其中测量所述原位DC电压包括：测量所述靶与所述基板支撑件之间的DC电压。
5.如权利要求1所述的方法，其中将所述磁体维持在所述默认速度和以小于所述默认速度的所述速度旋转所述磁体是在维持到所述靶的所述DC...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述默认速度基于待等离子体处理的基板的半径。
3.如权利要求1所述的方法，其中以小于所述默认速度的所述速度旋转所述磁体基于针对待等离子体处理的基板的半径的停留时间，并且其中所述停留时间为沿着所述磁体的路径每英寸花费的持续时间。
4.如权利要求1所述的方法，其中测量所述原位dc电压包括：测量所述靶与所述基板支撑件之间的dc电压。
5.如权利要求1所述的方法，其中将所述磁体维持在所述默认速度和以小于所述默认速度的所述速度旋转所述磁体是在维持到所述靶的所述dc靶电压的同时执行的。
6.如权利要求1所述的方法，其中磁体旋转半径为约6英寸至约7英寸。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述预设值为1000v。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述原位dc电压为约870v至约1000v。
9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中旋转所述磁体包括：以约0.5rps至约1.2rps旋转所述磁体。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，具有存储于其上的多个指令，在由处理器执行时，所述指令执行用于处理基板的方法，所述方法包括：
11.如权利要求10所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述默认速度基于待...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴梦雪，许绍杰，苏洁敏，崔玥，C·N·李，P·奇丹巴拉姆，宋佼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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