【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板抛光期间的原位监测(in-situ monitoring)。
技术介绍
1、通常通过循序沉积导电层、半导体层或绝缘层到硅晶片上，并通过随后对层进行处理，以在基板(例如半导体晶片)上形成集成电路。
2、一个制造步骤涉及将填料层沉积到非平面的表面上，并将填料层平面化，直到非平面表面暴露为止。例如，可在图案化绝缘层上沉积导电性填料层，以填充在绝缘层中的沟槽或孔。填料层随后被抛光，直到绝缘层的突出图案暴露为止。在平面化之后，剩余在绝缘层的突出图案之间的导电层部分，形成在基板上的薄膜电路之间提供导电路径的通孔、插件与线。此外，可使用平面化以将基板表面平面化以进行光刻。
3、化学机械抛光(cmp)为一种被接受的平面化方法。此平面化方法通常需要将基板装设在承载头上。基板的暴露表面，被放置为抵靠旋转的抛光垫。承载头对基板提供可控制的负载，以将基板推向抛光垫。抛光液体(诸如具有磨料粒子的浆料)被供应至抛光垫的表面。
4、在半导体工艺期间，确定基板(或基板上的层)的一或更多个特性可以是重要的。例如，了解cm...
【技术保护点】
1.一种抛光基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中基于四点探针法确定所述对厚度的参考真实测量结果。
6.一种抛光系统，包括：
7.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述控制器进一步经配置以：针对所述层上的第二多个不同位置中的每一位置，基于针对所述位置的所述所测得信号产生所述位置的对厚度的估算测量结果，所述产生包括：使用静态公式，所述静态公式使所述所测得信号的多个...
【技术特征摘要】
1.一种抛光基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中基于四点探针法确定所述对厚度的参考真实测量结果。
6.一种抛光系统，包括：
7.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述控制器进一步经配置以：针对所述层上的第二多个不同位置中的每一位置，基于针对所述位置的所述所测得信号产生所述位置的对厚度的估算测量结果，所述产生包括：使用静态公式，所述静态公式使所述所测得信号的多个值相关于对厚度的估算测量结果的多个值。
8.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述控制器进一步经配置以：针对第二基板上的层上的所述多个不同位置中的每一位置，基于针对所述位置的所述所测得信号产生所述位置的对厚度的估算测量结果，所述产生包括：使用静态公式，所述静态公式使所述所测得信号的多个值相关于对厚度的估算测量结果的多个值。
9.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述原位监测系统包括涡电流传感器。
10.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述一或更多个其他位置包括锚位置，并且确定每一第一厚度测量结果包括：基于针对所述锚位置的所述所测得信号标准化每一所测得信号，以更新所述所测得信号。
11.如权利要求10所述的抛光系统，其中每一个对厚度的估算测量结果为标准化值，并且所述控制器进一步经配置以：...
【专利技术属性】
技术研发人员：许昆，H·G·伊拉瓦尼，D·伊万诺夫，B·A·斯韦德克，SH·沈，H·Q·李，B·切里安，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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