提供一种处理套件，包括：基座，基座具有矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处...

本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供...

一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室包括用于在沉积期间影响基板边缘区域中的离子轨迹的设备。该设备包括反射器组件及多个永磁体，该反射器组件围绕基板支撑件并被配置为在沉积于基板上的材料回流期间将热反射到基板，该多个永磁体嵌入反射...

提供了用于以固定体积输送熔融金属和金属合金的方法和系统。该系统包括具有流体入口端口的蒸发系统和流体输送系统。流体输送系统包括可操作以容纳源材料的安瓿。安瓿包括流体出口端口和气体入口端口。流体输送系统进一步包括流体输送管线，该流体输送管线...

提供一种方法包括以下步骤：识别基板的第一区域的第一结构数据，和接收与在处理腔室中的一或更多个基板沉积工艺相关联的基板的光学计量数据。方法进一步包括以下步骤：基于光学计量数据及第一结构数据，确定与一或更多个基板沉积工艺相关联的基板的第一区...

一种存储器器件，包含：交替的氧化硅层及字线层的堆叠；字线层的每一者包含与氧化硅层相邻的偶极区域，这些偶极区域包含偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物，或上述的组合。偶极区域是通过将偶极膜驱入字线层的栅极氧化物层中来形成的，并且移除...

本公开的某些方面提供了用于移除基板上的材料的方法的技术。示例性方法包括在第一方向上围绕第一轴旋转基板和在旋转基板的同时将基板的表面推靠在抛光垫的抛光表面上，其中围绕第一轴旋转基板包括以第一旋转速率将基板旋转第一角度，以及随后以第二旋转速...

本案提供一种在PVD腔室中处理基板的方法。在一些实施方式中，一种在PVD腔室中处理基板的方法包括以下步骤：将来自该PVD腔室中所设置的一靶的材料溅射并溅射到基板上，其中从该靶溅射的该材料的至少部分通过一个或多个上部磁体、一个或多个第一磁...

本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的...

所公开的是用于在基板处理系统中的压力变化期间最小化基板污染的实施方式。在基板处理系统的腔室中的压力变化(增大或减小)的持续时间内，流率被调整多次，以减少所述腔室的环境中污染物颗粒的出现。在一些情况下，使用至少一个动态阀来连续改变流率，使...

提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包括：将氧气(O<subgt;2</subgt;)供应到蚀刻腔室的处理容积中以与钌的基底层顶上的硅基硬掩模层反应，以在硅基硬掩模层上形成类SiO材料的覆盖层，以及使用O...

示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的...

公开一种包装材料及制造方法。包装材料包括基板表面及选自由弹性体、聚合物、无机材料及其组合所组成的群组的膜涂层。膜涂层包括第一层及第二层，第一层沉积在第二层上。第一层具有为SiO<subgt;x</subgt;N<sub...

用于形成高电流电感器的方法利用固体核心材料来形成带状导体。在一些实施例中，方法可包括：形成纵向穿过固体核心传导材料的中心开口，其中所述固体核心传导材料具有外直径，所述中心开口形成所述固体核心传导材料的内直径，并且所述外直径和所述内直径之...

本文公开的处理方法包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和反应物来在基板表面上形成成核层和可流动化学气相沉积(FCVD)膜。通过控制前驱物/反应物压力比、前驱物/反应物流量比、以及基板温度中的至少一者，微小缺陷的形成被最小化。控制工艺参数中...

一种方法包括以下步骤：接收特征模型集合，所述特征模型集合中的每个特征模型与和部件的处理相关联的相应的特征对应；接收用于处理所述部件的目标性质集合，其中所述目标性质集合针对每个特征包括相应的目标；基于所述特征模型集合，鉴于所述目标性质集合...

示例性的半导体处理系统可包括具有侧壁及底部的腔室主体。半导体处理系统可包括延伸穿过腔室主体的底部的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑板。基板支撑件可包括与支撑板耦合的轴。半导体处理系统可包括定位在腔室主体内且定位在此支撑板的周边边缘的径向...

本案揭示一种设备前端模块(EFEM)，其具有壁、包括一个或多个装载口的第一壁、及形成在这些壁之间的EFEM腔室。该EFEM进一步包括位于该EFEM的顶部的上气室，并包括进入该EFEM腔室中的开口。管道提供返回气流路径，其实现从该EFEM...

提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。所描述的装置及方法通过形成包含低电阻率材料的字线来降低字线的电阻率。低电阻率材料具有从5μΩcm到100μΩcm范围内的电阻率。低电阻率材料可通过使字线凹陷并在字线的凹陷部分中选择性地生长低电阻率...

用于电子装置制造系统的工厂接口可包括设置在此工厂接口的内部空间内的装载锁定机构及设置在此工厂接口的此内部空间内的工厂接口机器人。此工厂接口机器人可被配置为在第一组基板载体与第一装载锁定机构之间传递基板。此工厂接口机器人可包括竖直塔、多个...