本文中公开了用于数据的时间序列瞬时分析的方法及系统。一种方法包括以下步骤：接收时间序列数据；生成包括随机化数据点的训练数据集；使用在时间窗内的这些随机化数据点集合来生成随机化数据点组合；基于这些随机化数据点组合来计算距离值；基于多个经计...

在半导体工艺期间确定晶片上的层的厚度可包括：在晶片上的层上执行工艺；在工艺期间利用原位光谱监测系统监测晶片以生成从晶片反射的光谱数据；将带通滤波器操作应用于光谱数据以生成滤波光谱数据，其中带通滤波器可被配置为经过对应于晶片上的层的频率范...

本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。

本文的实施方式大致上针对在半导体器件中形成高深宽比金属接触件和/或互连特征(例如，钨特征)的方法。通常，在高深宽比开口中进行钨的共形沉积在从开口的一个或多个壁向外生长的钨相遇的位置处造成接缝和/或空隙。因此，本文阐述的方法提供期望的自下...

本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸...

处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂...

本公开内容的实施方式大体而言涉及一种光学系统，该光学系统具有透镜系统，该透镜系统被配置为具有宽视场和高分辨率。该光学系统包括三个或更多个透镜组，这些透镜组具有对抗光学像差并在透镜组外部产生光瞳的能力。作为图像投射系统的透镜系统将呈现在有...

本公开内容的实施方式总体涉及用于蚀刻材料的方法。在一或多个实施方式中，所述方法包括：将基板定位于工艺腔室的工艺容积中，其中所述基板包括设置于所述基板上的金属钌层；和将所述金属钌层暴露于氧等离子体，以在所述金属钌层上产生固态氧化钌和在工艺...

本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度...

提供了制造存储器件的方法。所述方法包括预清洁膜堆叠的顶表面，所述膜堆叠包括第一材料层及第二材料层的交替层且具有存储器孔及延伸经过膜堆叠的狭缝图案开口中的一或多个；将膜堆叠的顶表面暴露于生长抑制剂；在膜堆叠的区域中选择性沉积含硅介电层；及...

在一个示例中，提供了一种流动模块。该流动模块具有与中心轴线等距的内壁和外壁。该流动模块具有连接在外壁与内壁之间的径向壁，其中外壁、内壁和两对或更多对径向壁限定抽空通道和中心部分。中心部分和抽空通道在流动模块中彼此流体隔离。两个或更多个通...

本文公开了用于将抛光流体分配到化学机械抛光(CMP)系统内的抛光垫上的方法和设备。具体地，本文的实施例涉及一种CMP抛光方法，包括使用载体组件将基板推靠在抛光系统的垫的表面上。以可变流率将流体从流体输送组件分配到垫上，并且以一频率和一占...

本文提供用于处理基板的方法及设备。例如，用于处理基板的方法包括：在基板上的层中界定的特征内沉积硅化物层；使用物理气相沉积经由沉积钼(Mo)或钨(W)中的至少一者，在该特征内的该硅化物层的顶部形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；及使用化学...

提供增强光谱数据收集的终点检测系统。光学束与被配置为产生入射光的光源耦接。光学束包括两个或多个光纤集合，每一者包括发射光纤和接收光纤。接收光纤相对于相应发射光纤以配对角度设置在光学束内。光学束也与包括消色差透镜的准直器组件耦接。消色差透...

本文描述位线堆叠及形成位线堆叠的方法。位线堆叠包含：多晶硅层；在多晶硅层上的粘着层；在粘着层上的阻挡金属层；在阻挡金属层上的界面层；在界面层上的电阻降低层；及在电阻降低层上的导电层。具有电阻降低层的位线堆叠比不具有电阻降低层的可比较的位...

一种数字光刻系统包括扫描区域，所述扫描区域包括第一扫描区域及邻近第一扫描区域的第二扫描区域。数字光刻系统进一步包括在扫描区域上方定位的曝光单元、存储器、及可操作地耦接到存储器的至少一个处理器件。曝光单元包括与第一扫描区域相关联的第一曝光...

本文的实施方式一般涉及电子器件制造，且更特定言之，涉及用于在半导体器件制造方案中形成实质上无空隙且无接缝的钨特征的系统及方法。在一个实施方式中，基板处理系统的特征在于处理腔室及流体耦合至该处理腔室的气体输送系统。该气体输送系统包括用于差...

公开一种形成石墨烯层的方法。此方法包括使用由含氩与含氢气体所形成的等离子体预清洁基板，之后借由将基板暴露至微波等离子体来形成石墨烯层，以在基板上形成石墨烯层。此微波等离子体包括烃与氢自由基。此基板接着被冷却。也可形成覆盖层。

本文提供的实施例大体包括用于产生在处理腔室中等离子体处理基板的波形的设备、等离子体处理系统和方法。本公开的实施例包括用于产生脉冲电压波形的设备和方法，该设备和方法包括：在产生脉冲电压波形的过程的第一阶段期间将主电压源耦合到电极，其中电极...

本发明的实施例大体上涉及制造电子器件，诸如存储器器件。在一个或多个实施例中，形成器件的方法包括在基板上形成膜堆叠，其中膜堆叠含有多个氧化物层与氮化物层交替层且具有堆叠厚度，及将膜堆叠蚀刻至第一深度以在多个结构之间形成多个开口。此方法包括...