【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所述的实施例大致上关于用于先进晶片级半导体封装的微通孔(micro-via)结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着小型化电子器件和部件的发展的其他趋势，对具有更大电路密度的更快处理能力的需求针对集成电路芯片、电路板和封装结构的制造中利用的材料、结构和工艺提出了相应的需求。因此，半导体器件发展的一个重点领域为具有减小的横向尺寸的器件互连(即，互连或互连结构)的结构和制造方法。
2、众所周知，垂直互连通路(vertical interconnect access)(或“通孔”)是互连结构的一个示例，并且激光钻孔是形成通孔的既定方法。尽管为了更高的互连密度而趋向于更小的通孔，但是形成具有如此小直径(例如，直径接近10μm或更小)的通孔的习知方式(特别是在大批量制造设定中)可能牺牲通孔的某些质量参数，从而获得期望的尺寸。这种质量参数的示例通常包括通孔形态、均匀性和通孔垫清洁度。
3、此外，目前用于激光钻通孔的方式通常依赖紫外线(uv)激光或脉冲co2激光而直接在面板中钻通孔。这两种方式皆需要复杂的光束成形光学器件来将...
【技术保护点】
1.一种在半导体器件中形成微通孔结构的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包括具有陶瓷填料的环氧树脂材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包括铬(Cr)、钨(W)、钼或铜。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述金属层包括铬(Cr)。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述金属层通过物理气相沉积(PVD)沉积在所述介电层上方。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂是光抗蚀剂，并且经由选择性暴露于UV辐射被图案化。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂使用直写...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在半导体器件中形成微通孔结构的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包括具有陶瓷填料的环氧树脂材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包括铬(cr)、钨(w)、钼或铜。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述金属层包括铬(cr)。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述金属层通过物理气相沉积(pvd)沉积在所述介电层上方。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂是光抗蚀剂，并且经由选择性暴露于uv辐射被图案化。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂使用直写数字光刻被图案化。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层使用基于氧的等离子体被干蚀刻。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层使用近红外(nir)或中红外(中ir)激光被激光烧蚀。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层使用具有脉冲丛发模式的紫外(uv)激光被激光烧蚀。
11.一种在半导体器件中形成微通...
【专利技术属性】
技术研发人员：类维生，K·莱斯彻基什，R·胡克，朴起伯，K·赵，T·查克拉博蒂，陈翰文，S·文哈弗贝克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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