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本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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