图像传感器和电子设备制造技术

技术编号：40376564 阅读：16 留言：0更新日期：2024-02-20 22:16

本申请实施例公开一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括至少两个像素结构，至少两个像素结构分别用于吸收两种不同特性的入射光，每个像素结构包括金属层、第一介质层和纳米天线层，第一介质层位于金属层的一侧，第一介质层包括感光材料，纳米天线层位于第一介质层远离金属层的一侧，第一介质层的厚度小于像素结构所吸收波段内的入射光的最小波长的五分之一，像素结构的至少一个边长小于所述像素结构所吸收的入射光的最大波长。采用本申请的实施例，可以有效提高像素的感光量，并且可以保持较低串扰和较广的感光角度，并且还可以能实现超分辨率的小尺寸像素。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：文龙，陈沁，刘永俊，杨亮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人