半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置以及程序制造方法及图纸

本发明专利技术具有以下工序：(a)通过在第一温度下对在表面设有凹部且含氧膜露出的基板供给第一反应物，在所述基板的表面上形成非流动性膜；以及(b)通过在比所述第一温度低的第二温度下对所述基板供给第二反应物，在所述非流动性膜上形成流动性膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置以及程序。

技术介绍

1、作为半导体装置的制造工序的一工序，有时进行在基板上形成膜的处理(例如参照专利文献1、2)。在该情况下，有时进行在基板上形成具有流动性的膜(以下也称为流动性膜)的处理，该基板在表面设有凹部。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017－34196号公报

5、专利文献2：日本特开2013－30752号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、本公开的目的在于，提高形成于在表面设置有凹部的基板上的膜的特性。

3、用于解决课题的方案

4、根据本公开的一方案，提供一种技术，该技术进行以下工序：

5、(a)通过在第一温度下对在表面设有凹部且含氧膜露出的基板供给第一反应物，在上述基板的表面上形成非流动性膜；以及

6、(b)通过在比上述第一温度低的第二温度下对上述基板供给第二反应物，在上述非流动性膜上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：山口大吾，门岛胜，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：